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低损耗360°X波段模拟移相器: 收藏
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引用; 《半导体情报》1993年第5期30卷 38-42页; 作者：J.I.Upshur 范进先贾朝辉; 介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。这些结果提高了以前报道的X波段移相器性能,相移范围大,衰减...; 介绍了低损耗反射型模拟移相器电路并报道了实验结果。这个电路集几个设计特征为一体,在X波段产生线性360°相移并且实现在所有相位状态下插损仅4.8dB,变化±0.5dB。这些结果提高了以前报道的X波段移相器性能,相移范围大,衰减小以及随相位状态变化幅度变化低。; 来源：详细信息评论

硅单片集成宽带AGC放大器的设计: 收藏
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引用; 《半导体情报》1990年第4期27卷 52-56,41页; 作者：杨培根贾长友过帆范进先由中强王炳雪; 本文简述硅单片集成高速电路在大容量、高速光纤通信中的应用及目前国际上几种高比特速率AGc放大器的研究情况;并介绍我们针对622Mb/s光接收机对AGC放大器的要求,用SPICE-Ⅱ进行电子计算机模拟设计和根据当前国内工艺情况进行工艺设计...; 本文简述硅单片集成高速电路在大容量、高速光纤通信中的应用及目前国际上几种高比特速率AGc放大器的研究情况;并介绍我们针对622Mb/s光接收机对AGC放大器的要求,用SPICE-Ⅱ进行电子计算机模拟设计和根据当前国内工艺情况进行工艺设计、计算机辅助设计版图制作以及试制研究情况。; 来源：详细信息评论

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