摘要：基于网络化舰空导弹体系的结构和作战流程,从复杂网络理论的角度研究了此体系生存能力的组成、特性,提出了它的网络结构及层次模型,并以此为基础,应用最优指标法实现体系生存能力的量化,以全新的角度解决了体系生存能力的评估问题.研究成果对网络化舰空导弹体系生存能力的设计与提高具有积极的意义.

摘要：针对纳米器件应用程序,本文设计了两侧绝缘支柱上带有双栅结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);考虑掺杂效应对垂直通道长度的影响,并对这些Lg=50nm的小型设备的工作效果进行分析;将Lg为50nm的设备与传统平面MOSFET进行比较,进而分析其性能;最后对创新设计进行评估,在纳米级领域中将结合了电介质容器(DP)的垂直MOSFET转塔与标准垂直MOSFET的设备性能进行全面的分析比较。结果表明优化掺杂效应可使垂直MOSFET的性能得到极大增强。在DP的排放端附近,源极和漏极之间的电荷共享现象减少,提高了势垒区的栅控制效果,抑制了纳米器件结构的短沟道效应(SCE)。