摘要：将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。

摘要：为了解一批65件20世纪50年代陕西唐墓出土陶俑的彩绘颜料成分,采用X射线荧光仪(XRF)、扫描电镜能谱仪(SEM-DES)和拉曼光谱仪(RM)等对陶俑表面颜料进行了分析检测。研究发现:这些陶俑表面颜料均为无机颜料:红色颜料为朱砂,铁红色颜料为赤铁矿,绿色颜料为孔雀石,白色颜料为铅白,黑色颜料为炭黑,橘色颜料为铅丹,部分铅丹已转化为白色碳酸铅。分析结果为这批陶俑彩绘颜料的鉴定、保护修复方案的设计、保护修复实施以及后期保存环境提供了科学依据。

摘要：随着互联网的产生和发展,网民需求和行为变得更加多元化、个性化,广告也从传统的大众媒体走上互联网的舞台。以广告联盟、中小网站为代表的网络广告资源长尾正在霍霍摆动。

摘要：对电动汽车用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块铜底板进行预弯设计,使其具有一定的弧度,以抵消铜底板在焊接时的变形,保证铜底板与散热器之间的接触面平面度,进而保证散热量。通过加工9组不同预弯高度H值的铜底板进行焊接实验和安装扭矩模拟试验,并分别对铜底板预弯高度H值为550μm、600μm的IGBT模块进行3D轮廓测量和超声波扫描,最终设定预弯高度H值为550~600μm。

摘要：中药冰片和薄荷脑是临床调剂和中成药配方常用药,其外形相近,都具挥发性和特殊气味,不加比较很容易混淆,特别是在中成药的检验中,多次发现两者错用的现象.为区别冰片和薄荷脑,保证配方的准确,本文设计了冰片和薄荷脑的简易、快速、实用鉴别方法,并以牛黄上清丸为例及其在中成药中的薄层色谱鉴别法.

摘要：传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关损耗大,并且在关断时存在电流、电压过冲现象,使得IGBT模块整体功耗增大,可靠性降低。通过SiC结势垒控制肖特基二极管(Junction Barrier Control Schottky Diode,JBS)代替模块内原有的PIN结构Si基二极管,研制了3300 V/1500 A等级的Si IGBT/SiC JBS混合模块。介绍了混合模块的设计方法、制造工艺及测试结果,并对比传统Si基IGBT模块与Si IGBT/SiC JBS混合模块的电学参数差异。通过相同工况条件下的功耗计算,对比两者功耗的差别。研究表明Si IGBT/SiC JBS模块中二极管的开关电流减小了91.9%、开关能量减小了98.3%,二极管功耗相对减少了62.1%,使得混合模块整体功耗降低,消除了电压、电流过冲,提高了模块可靠性。