摘要：根据英语阅读模式的理论观点 ,探讨英语课文教学的模式 。

摘要：本文分析了我国网络安全应急能力体系建设现状,建立了一种利用层次分析法开展网络安全应急能力评估的方法,以终端邮件钓鱼处置为例,设计了应急能力评估指标体系,解释了指标权重的计算方法,分析了综合得分的计算方式,并给出评估方法。

摘要：在当下我国高中英语教学当中,由于受到高考的影响,导致在英语教学当中对于口语教学的研究和认识不足够深刻,从而导致英语教学过分的应试化,从而忽略了英语作为语言的应用价值,因此为了更好的促进学生的全面发展,使得高中英语教学目的能够更好的贯彻,本文笔者从英语口语教学的研究入手,通过结合自身的教学经验以及对于英语口语教学的实践和探索,提出对于高中英语口语教学设计和实施的认识和办法,旨在更好促进我国高中英语教学的科学全面发展。

摘要：针对汽车制动过程的非线性特征及其最佳滑移率在线估计的复杂性,提出一种基于Burckhardt模型的最佳滑移率在线辨识方法。分别用3个以工况为参数的径向基函数神经网络作为Burckhardt模型的3个参数;采用粒子群算法和结构化非线性参数优化方法相结合的混合参数优化方法估计3个径向基函数神经网络的所有参数,由该改进的Burckhardt模型即可产生任意工况下的纵向附着系数—滑移率(μ-s)曲线;在保证在线辨识精度的前提下,根据最佳滑移率等分原则选取一定数量的工况参数以构成Burckhardt模型的参数集,设计出基于实时μ-s数据的最佳滑移率在线辨识策略,完成最佳滑移率辨识系统构建。在线控制动系统中的仿真验证了所提出的最佳滑移率在线辨识方法的可行性和有效性。

摘要：研究了产生大阵列数的光阵列发生器的设计与加工 ,设计并加工了产生一维 6 4点阵和二维 40 96点阵的光阵列发生器。

摘要：目的探讨对行膝关节手术患者实施术前动漫视频宣教结合多方位体温护理的效果。方法以2020年3月至2021年3月于佛山市南海区人民医院行外科手术的90例膝关节退行性病变患者作为研究对象,按随机数字表法将其分为对照组和观察组。对照组45例患者施以常规护理结合多方位体温护理,观察组45例患者在对照组护理方法的基础上联合术前动漫视频宣教。比较2组在不同时间的体温变化情况,入院时、出院时的应激水平和生活质量,以及出院时的寒战发生率。结果观察组在入手术室30 min、术中、手术结束时和术毕1 h的体温均高于同期对照组(P均<0.05)。与入院时相比,2组在出院时的应激水平均下降,生活质量水平均提高(P均<0.05);观察组在出院时的应激水平、生活质量水平和寒战总发生率均优于对照组(P均<0.05)。结论术前动漫视频宣教联合多方位体温护理可有效地维持膝关节退行性病变患者围手术期的正常体温,改善其应激水平和生活质量,降低寒战发生率。

摘要：通过分子设计制备一种含双叔丁基结构的刚性芳香二胺单体——4,4′-二氨基苯基-3″,5″-二叔丁基甲苯,将该二胺单体分别与3种不同的商品化芳香二酐(3,3′,4,4′-联苯四酸二酐(BPDA)、3,3′,4,4′-二苯醚酐(ODPA)、3,3′,4,4′-二苯酮四酸二酐(BTDA))采用一步高温缩聚制备了3种新型聚酰亚胺NPI(3a~3c)。该类聚酰亚胺具有优异的溶解成膜性能,在室温可溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、间甲酚等高沸点溶剂中,在加热时还能溶解于CHCl_(3),CH_(2)Cl_(2),THF等低沸点溶剂,并可通过其聚合物溶液浇铸得到柔韧的薄膜;所制聚酰亚胺薄膜具有优良的热性能,玻璃化转变温度(T_(g))范围为262~303℃,在N_(2)中质量损失10%的温度超过523℃;具有优异的光学性能,所制薄膜还具有较浅的颜色和良好的光学透过性,在450 nm波长光下的透光率为69%~76%,截止波长为341~353 nm。

摘要：通过将舞蹈与音乐相结合,我们可以让学生在课堂上体验音乐与舞蹈的艺术魅力,提高他们的情操,洗涤他们的心灵,将他们带入艺术的殿堂。另外,在小学音乐课教学中加入舞蹈教学能提高学生对音乐的感知水平,锻炼其想象力和思维能力,从而使学生的艺术素养得到显著提升。

摘要：利用自行设计的微动疲劳试验夹具研究超细晶纯钛在柱面-平面接触下的微动疲劳特性,分析循环应力对其微动疲劳寿命的影响。通过观察接触区磨损和断口形貌,分析其微动损伤机制。结果表明,当法向载荷不变时,超细晶纯钛的微动疲劳寿命随着循环应力的增加而减少,比常规疲劳寿命更低。微动疲劳裂纹于接触区边缘萌生,磨损区破裂严重且附着有磨粒,在磨粒磨损作用下加速了试样的疲劳失效。断口同时呈现出疲劳形貌和微动形貌,形貌从平滑转向粗糙直至断裂,裂纹由小变大,裂纹扩展速率也逐渐增加,且在裂纹扩展区存在二次裂纹;由于受力不均,在裂纹扩展区与断裂区之间存在山脊状形貌。

摘要：p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .