摘要：设计了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS带隙基准。普通的带隙基准是通过VBE(双极型晶体管的基极-发射极电压)和kVT(VT=k·T/q)的和来实现输出基准电平,由于器件本身的特性而决定了其输出电平一般在1.25V左右。本文的带隙基准通过两个分别正比于VBE和kVT和的电流的叠加来实现低电平输出。使用SMIC0.35um模型仿真,得该电路的输出电平为506mV。

摘要：给出了一种基于开关电容(SC)电路的10位80 MHz采样频率低功耗采样保持电路。它是为一个10位80 MS/s流水线结构A/D转换器的前端采样模块设计的。在TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5 V电源电压下,该电路的采样频率为80 MHz;在奈奎斯特频率采样时,无杂散动态范围(SFDR)为75.4 dB,SNDR为71.8 dB,ENOB为11.6,输入信号范围可达160 MHz(两倍采样频率),此时SFDR仍大于70 dB。该电路功耗为16.8 mW。

摘要：介绍了I2C总线的工作原理及数据传输格式,分析了本设计在传统I2C总线控制器上的改进,由于加入了片内地址,更有利于实现系统集成,接着用自顶向下的设计方法首先给出了基于FPGA的片内多地址地址I2C总线控制器和从动器件总体架构,进行了Verilog语言的行为源描述,并给出了系统的仿真波形,仿真结果表明其能够在快速模式下很好的工作,最后通过FPGA实现。