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SiC MOSFET开关损耗模型
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《电力电子技术》2018年 第8期52卷 31-33,85页
作者:董泽政 吴新科 盛况浙江大学电气工程学院浙江杭州310027 
相比于硅(Si)功率器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提升开关速度、减小损耗。传统封装所引入的寄生电感(特别是共源极寄生电感)及SiC MOSFET自身特性参...
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基于木星借力的太阳极轨探测器轨道设计方法
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《上海航天》2014年 第6期31卷 13-17页
作者:董泽政 李绿萍 张靖沛 张嵬 陈昌亚上海卫星工程研究所上海200240 上海航天技术基础研究所上海201109 
提出一种从地球发射至日心大倾角轨道设计方法。讨论了该类轨道的实现方式,分析了地球、太阳、行星的相对位置关系,建立了基于行星借力的日心大倾角轨道设计数学模型,给出了设计方法的流程。尤利西斯探测器转移轨道设计算例验证了方法...
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面向毫米波雷达应用的微带阵列天线仿真与设计
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《新一代信息技术》2023年 第11期6卷 27-33页
作者:董泽 欧阳 张哲 李丁辉 耿云杰北京交通大学电子信息工程学院北京100044 
本文设计了两种工作于E波段的毫米波雷达微带阵列天线:贴片阵列天线和梳状阵列天线,阐述了两种阵列天线的设计和组阵方法,并对两种阵列天线模型进行了三维电磁全波仿真。通过分析并对比两种阵列天线的阻抗特性和辐射特性等参数,总结了...
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