摘要：吴昌硕是中国近、现代书画艺术发展过渡时期的关键人物,是集“诗、书、画、印”四绝于一身的一代宗师。1984年8月27日,在吴昌硕先生诞生140周年之际,邮电部发行了《吴昌硕作品选》邮票,以纪念吴昌硕先生对我国绘画史所作的功绩。至今,这套邮票发行已经30多年了。

摘要：收到九月份《集邮博览》杂志，读到《以物证史——1933年秘密信札记录山海关抗战史略》文章中，在附图5下方，有一段文字：“从日伪邮政角度来说，榆关事变后，日伪于1993年1月在山海关设立了伪满邮局……。”此段文字中的“1993年”应为1933年。

摘要：针对一类非匹配受扰非线性系统在输出受限条件下的跟踪控制问题,本文在预设性能控制过程中引入非递归设计框架,提出了一种降维非递归预设性能控制方案,以缓解常用的递归预设性能控制过程中出现的复杂性爆炸问题,大幅简化了系统的控制器设计过程,便于实际工程应用.本文设计的降维非递归控制策略能够实现控制器设计过程与稳定性分析的分离,并且具有控制器形式简洁、控制参数选取机制简单的优点.最后,选取具有代表性的数值仿真和永磁同步电机位置跟踪控制实验阐释了所提出的控制策略的有效性及简洁性.

摘要：现代建筑对于节能和环保的要求越来越高,而采光顶作为建筑物重要的采光结构,其设计和施工需要考虑节能和环保因素,因此,对其精装修施工技术进行研究可以推动建筑行业朝着更加节能环保的方向发展。文章探讨了异形采光顶及临空侧邦精装修施工技术,通过对施工要点及相关技术进行分析,如可移动桁架车和索网立柱柔性平台,提出了相应的解决方案和策略。研究发现,在进行异形采光顶和临空侧邦精装修时,需要充分考虑结构特点、材料选用、施工工艺等因素,确保施工质量和安全。

摘要：采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。

摘要：针对一类含不匹配干扰的非线性系统的控制问题,基于递归化方案得到鲁棒或自适应控制律是常见的设计思路,如反步法及其衍生控制策略等.然而,递归设计的控制律通常由含多偏微分项的多个虚拟控制器组成,形式复杂的同时,控制参数选取也较为困难,易出现“复杂性爆炸”的问题,因此较难得到广泛的工程应用.同时,因递归设计处理系统的非线性与不确定性的差异较大,难以实现鲁棒/自适应控制的本质性融合.本文从一个新颖的非递归控制角度出发,提出了一个能够融合鲁棒/自适应控制策略的设计框架,实现系统在不匹配受扰情形下的无静差跟踪.仅通过一步坐标变换,在等价的可镇定系统框架下,根据实际工况来灵活切换合适的控制增益,为工程师同时提供了两个可供选择的控制方案.相较于已有算法,本文所提控制器形式简洁易实现,参数易调节,适用范围广.案例分析与实例仿真验证阐明了所提方法的简洁性及有效性,并给出了一体化控制器工作模式的选取原则.

摘要：为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A·cm^(-2),品质因子R_0A为0.1Ω·cm^2。相比于同质InSb结构,器件的R_0A提高了一个数量级,已接近实用化水平。

摘要：工程图学网络智能试题库系统基于B/S模式的设计思想,选用ASP+Access建网技术,利用AutoCAD2007软件作为网络环境下的图形处理平台,利用Dreamweaver MX应用程序作为系统的开发软件。试题库系统具有组卷和在线考试两大功能,共有三个主要模块:试题库模块、组卷模块、在线考试模块。试题库模块可对试题进行添加、修改、删除等,同时可以设定试题范围和难易度;组卷模块可生成试卷,供在线考试或试卷考试应用;在线考试模块主要有考试和练习两大功能,方便学生使用。试题库中的考试和练习题目均有中文、英文和德文三种形式,充分体现了工程图样是一种国际工程交流语言。该系统是一个开放的网络应用平台;教师和学习者在指定权限内可以方便登录。

摘要：通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。