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蒋佩兰作品: 收藏
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引用; 《文艺评论》2017年第7期 I0001-I0001页; 作者：蒋佩兰四川师范大学影视与传媒学院; 本科毕业于四川师范大学。研究生就读于四川师范大学，影视与传媒学院，研究方向造型艺术，主攻油画。; 本科毕业于四川师范大学。研究生就读于四川师范大学，影视与传媒学院，研究方向造型艺术，主攻油画。; 来源：详细信息评论

不同SiC材料p^+(p^-/n^-)n^+型二极管反向恢复过程的仿真: 收藏
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引用; 《温州大学学报（自然科学版）》2016年第2期37卷 33-38页; 作者：蒋佩兰韦文生赵少云刘路路温州大学物理与电子信息工程学院浙江温州325035; 讨论了Si C材料p^+/p^-(n^-)/n^+型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-(n^-)型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关...; 讨论了Si C材料p^+/p^-(n^-)/n^+型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-(n^-)型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系.结果表明,用4H-Si C设计的p^-型基区二极管的反向恢复性能最优.若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低,则器件的反向恢复时间越短,反向恢复最大电流越小.本文可作为Si C功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例.; 来源：详细信息评论

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