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单晶锗激光电解自耦合协同加工基础研究: 收藏
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引用; 《中国激光》2022年第22期49卷 211-219页; 作者：王超朱浩张朝阳蒋子宣杜文武张敏江苏大学机械工程学院江苏镇江212013; 以硅、锗为代表的半导体材料在集成电路芯片、微机电系统等领域得到了广泛应用。针对该类材料硬脆性强、传统加工工艺难以加工的不足,提出了一种激光电化学复合加工方法,利用皮秒激光辐照定域以提高单晶锗的电导率,实现了激光热力效应...; 以硅、锗为代表的半导体材料在集成电路芯片、微机电系统等领域得到了广泛应用。针对该类材料硬脆性强、传统加工工艺难以加工的不足,提出了一种激光电化学复合加工方法,利用皮秒激光辐照定域以提高单晶锗的电导率,实现了激光热力效应与电化学阳极溶解的自耦合协同加工。阐述了该加工方法的理论依据,设计了背向光控电解试验,进行了机理验证,分析了光控电解所得的凹坑结构的形貌特征,讨论了偏置距离对其的影响规律。在此基础上,将激光热力效应与电化学阳极溶解耦合于单晶锗上表面,开展了激光电解自耦合协同微切槽试验,分析了微槽加工表面的特点,讨论了加工电压对微沟槽尺寸的影响规律。; 来源：详细信息评论

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