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基于STNMOS的混合电压I/O接口ESD保护: 收藏
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引用; 《中国集成电路》2012年第7期21卷 45-50页; 作者：吴道训蒋苓俐方健张波电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054; 混合电压I/O接口的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠N...; 混合电压I/O接口的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS(stacked-NMOS,STNMOS)的混合电压I/O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。; 来源：详细信息评论

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