摘要：基于NI公司的Labview 8设计了一套功能全面的半导体紫外光电探测器参数自动化测试与分析系统,将光路调整、仪器控制、数据采集、数据处理和结果呈现整合到一个软件操作平台上,解决了传统手动测量既繁琐又易出错的问题,可测量样品的光电流或暗电流的伏安特性以及光谱响应。根据微弱信号的特殊测量要求,对测量装置和测量方法进行了优化设计,有效地降低了各种噪声的干扰,并针对不同量程仪器响应时间不同的问题,提供了时延的估测方法,提高了测量结果的可靠性和准确性。

摘要：表面光伏技术可测量半导体材料的少数载流子的扩散长度、表面电荷等，能表征半导体微结构。采用静电计管作为信号的前置放大器具有电压增益低、体积大等缺点。介绍了一种表面光伏谱前置放大器的设计原理、设计方案和应用实例。该前置放大器具有灵敏度高、响应时间短、截止频率低等优点，并且体积小、使用成本低。

摘要：应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。