摘要：配制了一种水基锆钛酸铅(PZT)陶瓷浆料,通过直写无模成型的方法制备了直径为微米级的压电木堆结构.流变学测量表明,浆料属于剪切变稀型流体;微观形貌观察和密度测量表明,烧结后的样品已经成瓷,且具有较高的致密度;X射线衍射(XRD)的测试结果表明,烧结后的样品具有三方PbZr0.58Ti0.42O3相;压电常数测试结果显示该结构有较好压电性,且压电常数d33为410pC/N.无模成型技术具有结构可设计性强,成型速度快,成型精度高等优点,为压电材料和器件的设计和应用提供了新的思路.

摘要：通过浆料直写无模成型技术制备了三维的TiO2网络结构,所得结构在空气中1150℃的条件下煅烧2 h,并用于亚甲基蓝的光催化分解.分别通过X射线衍射和扫描电子显微镜研究了烧成样品的物相结构和形貌.用紫外可见分光光度计表征了烧成样品的光催化分解性能,结果显示本结构样品的光催化性能优于同质量的圆柱状样品.此外,本实验设计了三种不同的网络结构,烧成后进行光催化降解性能测试.结果显示:通过合理的结构设计,网络样品的光催化降解性能可提高大于60%的程度.样品催化性能的提高可归因于催化剂结构设计所带来的材料对光辐射吸收的增强.

摘要：忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧化还原反应等。阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。