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辐射敏感PMOS管的研制
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《电子器件》2002年 第4期25卷 345-348页
作者：陈德英 蔡振波 姜岩峰 张旭 王成 樊路嘉MEMS重点实验室东南大学南京210096 航天部五院 信息部第55研究所 
本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。
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