摘要：为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不仅解决了亚阈值电压下单元面积和外围辅助电路开销过大的问题,还进一步提升了单元的噪声容限和读写速度.以10管静态随机存储器单元为研究对象,基于中芯国际130 nm工艺进行物理实现,测试结果表明,相比于传统方法,所提出的尺寸设计方法节省单元面积开销76%,提升静态噪声容限30.5%,使静态随机存储器能稳定地在0.32 V的电压下工作.

摘要：提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,单元的读写噪声容限,保持噪声容限,相比传统6管结构显著提升,并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60%~70%.