摘要：在触控产品的制作过程中,气泡线不良严重影响着产品的外观品质.本文从气泡线的产生机理入手进行研究,发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致.本文从设计面、工艺面对气泡线的影响因子进行了研究,实验发现有机膜边界设计位置、有机膜厚度、偏光片贴附相关工艺以及偏光片中PSA厚度对气泡线不良影响显著.其中有机膜边界设计位置远离显示区,降低有机膜与偏光片交叠宽度,可以使脱泡时气泡更容易排出而改善气泡线不良;降低有机膜厚度,可以减少偏光片贴附时有机膜断差位置气泡积累而改善气泡线不良;偏光片贴附相关工艺中增加贴附压力、降低贴附速度、增加脱泡时间,可以减少气泡积累以及增加排出而改善气泡线不良;增加偏光片中PSA胶层的厚度,可以在偏光片贴附时获得更大的弹性及压入量,减少气泡的积累而改善气泡线不良.研究结果表明,以上改善方法均能有效降低气泡线的发生率,实际生产时可采用组合对策,避免气泡线不良的发生.

摘要：通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。

摘要：对盒精度提升是高世代TFT-LCD面板生产线产品小型化、薄型化、高PPI(300+)与高开口率升级的必备核心技术。通过阵列(Array)与彩膜(CF)关键位置/尺寸匹配性优化与离散性优化,首次尝试阵列关键位置精度(TP)非线性补正功能,并钻研成盒(Cell)过程中基板翻转稳定化、封框胶设计与涂布工艺优化,实现电视机、显示器、笔记本、平板电脑等产品对盒精度由7.5μm降低至5.5μm;在解决显示器产品按压Mura与平板电脑产品像素漏光的同时,对产品开口率的贡献也随着产品PPI的升高而增加,PPI 300+产品的开口率余量提高14.8%,有效提升了高世代TFT-LCD面板生产线小尺寸/高PPI产品核心竞争力、收益性和产品群组合。另外,本文建立高世代TFT-LCD面板生产线对盒精度分析方法、对策检讨及改善的标准流程,形成新产品阵列TP非线性补正和对盒辅助封框胶的设计基准。

摘要：为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。

摘要：万州是依长江水系网络发展起来的城市,以水为运行脉络,城市生活也依水系而展开.城市滨水区域不仅是万州城市形成时期最早的聚居点,也是城市繁华期的经济与文化中心,还是城市不断发展与成长的动力之源.

摘要：大尺寸、高分辨率(4K:3840×2160、8K:7680×4320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向。先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gateon Array,GOA)产品是目前主流的TV产品之一,因产品分辨率高和双栅线结构,像素尺寸较小且开口率较低,加之常规ADS双栅线像素结构在两个子像素中间的暗区较大,导致面板透过率较低,影响产品特性和竞争力。本文在常规ADS双栅线像素结构基础上,改变两层电极的功能,使底层电极作为像素电极,顶层电极作为公共电极,同时顶层电极在两个子像素面内采用联通设计,减小有效电场弱区和像素暗区,提升像素光效和透过率。模拟和试验结果表明:新型ADS双栅线像素设计可以提升面板透过率约3%。且光学、电学、机械和信赖性等评价无问题,可实际应用于产品,提高产品价值和竞争力。

摘要：研究了过孔接触电阻变化规律,并进行机理分析,为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先,运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后,通过扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱仪和聚焦离子束显微镜对过孔内部形貌进行表征。最后,对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明:过孔面积越大,接触电阻越小;过孔面积相同时,长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻,多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻,栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻,过孔面积尽可能最大化,采用长方形过孔优于正方形过孔,多小过孔优于单大孔设计,同时优化过孔刻蚀工艺,减少过孔内顶层钼的损失。

摘要：自动扶梯多用于地铁、车站、商场、宾馆等公共场所,随着自动扶梯数量的急剧增加,巨大的扶梯能耗已经引起人们的密切关注,目前针对自动扶梯节能控制系统的研究做了大量的工作。地铁车站自动扶梯节能控制系统研究工作与实际情况紧密相连,为证实所得的理论结果或设计方法的正确性,进行充分的实验和仿真是十分必要的。为此,基于可模拟真实情况下扶梯的运行情况,提出自动扶梯节能评估实验仿真平台的设计思路,以验证所提出的地铁车站自动扶梯节能运行模式的有效性。

摘要：[目的]通过CT成像描述股骨颈旋转角并测量数据,探讨临床价值。[方法]用螺旋CT扫描15个健康成人志愿者双侧股骨上段,三维成像,描述并用二种方法测量股骨颈扭转角。[结果]股骨颈扭转角是股骨颈截面最长径与股骨上段长轴的夹角,"圆心法"测得成角左侧30.00°±3.23°,右侧29.07°±3.65°,股骨颈不同部位及左右侧差别无统计学意义。[结论]三维CT成像能良好显示股骨颈扭转角并测量,"圆心法"测量值理论上更接近真实值。此角度对股骨上端手术操作及内固定设计有参考价值。

摘要：IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。