摘要：当前,在我国城市化建设不断发展过程中,规划设计工作所起到的作用是非常明显的,在很大程度上促进了城市文明建设的步伐,在进行城市规划设计的时候,建筑设计使其中必不可少的一个重要内容,它不仅需要充分满足人类居住需求,还需要保证与当地城市的地域特性相一致,基于此,本文将详细分析与探讨建筑设计在城市规划设计中的重要性,以此提供参考。

摘要：针对TTS技术在一些小型应用上存在着大量占用系统资源,执行速度慢等问题,该文介绍了一个高效而精简的汉语文语转换系统的实现方案。首先介绍了整个系统的设计思想,然后分步介绍了其具体实现。

摘要：普适环境中的各种设备都能通过任意网络随时随地获取Web服务。针对同样的信息在不同尺寸的终端设备上以最佳效果显示的需求,提出了一种树型内容组织的信息自适应发布模型,并给出了基于遗传算法的求解框架。为了快捷地寻求最佳方案,充分利用遗传算法良好的全局搜索能力,设计了适合该问题的编码方式和杂交、变异方式,使得该算法具有计算量较小、搜索精度高、收敛速度较快、抗早熟能力强等特点,说明采用遗传算法来解决信息自适应发布问题是一种行之有效的方法。

摘要：泡沫铝因具有密度低、耐高温、能量吸收高等优异的物理及力学性能而被广泛应用于航空、航天等领域。由于多孔材料的可压缩性,经典Taylor杆理论无法适用,该文在一定假设基础上,基于能量法分析Taylor冲击下多孔材料弹体的塑性变形特征,建立了Taylor冲击下多孔材料弹体的塑性变形分析模型,并通过泡沫铝Taylor冲击试验数据验证了模型的有效性。研究结果可以为多孔材料物理及力学性能结构参数的优化设计提供指导。

摘要：本文介绍了基于Lotus　Domino/Notes的办公自动化系统的设计思想、体系结构、功能模块,并就Notes应用中访问关系型数据库系统的方法进行了探讨。

摘要：阐述基于模型位置对齐机制、模型分块处理机制、自动采集机制,设计一套可以对变电站进行一次全面建模采集,实现模型轻量化滚动更新的技术方案,从而对原有倾斜摄影建模方式做出优化。

摘要：为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件,提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金属-氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS,SOFLDMOS)新结构.这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周期分布的折叠硅表面,利用阶梯氧化层的电场调制效应,通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电场分布均匀,提高了器件的耐压范围,解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击穿电压受限的问题.通过三维仿真软件ISE分析获得,SOFLDMOS结构打破了硅的极限关系,充分利用了电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应,漏极饱和电流比一般LDMOS提高3.4倍左右,可以在62 V左右的反向击穿电压条件下,获得0.74 mΩ·cm^2超低的比导通电阻,远低于传统LDMOS相同击穿电压下2.0 mΩ·cm^2比导通电阻,为实现低压功率集成电路对低功耗横向功率器件的要求提供了一种可选的方案.

摘要：本文论述了将微处理技术和HART协议通信技术引入温度控制器中,实现高精度温度控制器的信号补偿、自适应校正、远程监控等功能。本文首先从硬件方面分析和论述了基于HART协议的高精度温度控制器的温度采集控制电路设计、信号隔离(光耦与脉宽展宽)电路设计、信号输入电路设计与通信信号滤波电路设计,最后简单介绍了软件设计总体结构。

摘要：为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏电极的漂移区之间引入部分本征GaN帽层,由于本征GaN帽层和Al GaN势垒层界面处的极化效应,降低了沟道二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)的浓度,形成了栅边缘低浓度2DEG区域,使得沟道2DEG浓度分区,由均匀分布变为阶梯分布.通过调制沟道2DEG的浓度分布,从而调制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场.利用电场调制效应,产生了新的电场峰,且有效降低了栅边缘的高峰电场,Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布更加均匀.利用ISE-TCAD软件仿真分析得出:通过设计一定厚度和长度的本征GaN帽层,Al GaN/GaN HEMTs器件的击穿电压从传统结构的427 V提高到新型结构的960 V.由于沟道2DEG浓度减小,沟道电阻增加,使得新型Al GaN/GaN HEMTs器件的最大输出电流减小了9.2%,截止频率几乎保持不变,而最大振荡频率提高了12%.

摘要：为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS).这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题,使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿,而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用,提高N型缓冲层浓度,从而降低了器件的比导通电阻.利用三维仿真软件ISE分析表明,在漂移区长度均为10μm的情况下,P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右,较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.