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1．55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计: 收藏
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引用; 《半导体光电》2014年第1期35卷 39-42页; 作者：王志燕贾护军毛周李泳锦成涛裴晓延孙哲霖西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室.西安710071; 设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱...; 设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。; 来源：详细信息评论

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