摘要：保证DAC中元器件的精度、减小DNL误差是提高SAR ADC性能的关键。通过对SAR ADC内部DAC的结构进行综合分析,针对传统的C-R混合式结构中的集总电容阵列进行了优化设计。电容阵列由相同的非集总的单位电容组成,并通过数字逻辑的控制来实现对单位电容连接点的选择。验证结果证明设计有效,ENOB、SFDR和SINAD等参数都得到明显的提高,保证了SARADC的单调性,实现了低DNL的SAR型模数转换器的设计。

摘要：提出一种基于多通道时空融合网络的双人交互行为识别方法,对双人骨架序列行为进行识别。首先,采用视角不变性特征提取方法提取双人骨架特征,然后,设计两层级联的时空融合网络模型,第一层基于一维卷积神经网络(1DCNN)和双向长短时记忆网络(BiLSTM)学习空间特征,第二层基于长短时记忆网络(LSTM)学习时间特征,得到双人骨架的时空融合特征。最后,采用多通道时空融合网络分别学习多组双人骨架特征得到多通道融合特征,利用融合特征识别交互行为,各通道之间权值共享。将文中算法应用于NTU-RGBD人体交互行为骨架库,双人交叉对象实验准确率可达96.42%,交叉视角实验准确率可达97.46%。文中方法与该领域的典型方法相比,在双人交互行为识别中表现出更好的性能。

摘要：本文分析了职业教育的发展方向,总结了在此背景下线上线下混合式教学的优势,提出了基于掌握学习理论(Mastery Learning)、探究式学习理论(Inquiry learning)的“M+I”混合式教学模式,该模式整体思路为:理论知识学习采用掌握学习理论,实践能力的培养采用探究式学习理论,在理论知识学习、实践能力培养过程中融入课程思政教育。本文还对该模式的具体细节设计进行了阐述,以期对职业教育课堂教学改革提供经验借鉴。

摘要：为了优化现有的射频CMOS电路中片上集成螺旋电感的模型,分析了利用MATLAB和ADS软件协同仿真建立集成电感模型的方法,以及利用VPCM来定制集成电感的优缺点;并针对传统FDK的局限性,提出一个交互式多样化的参数可变的电感模型。以电感2—π等效模型为基础,针对特定尺寸的电感调整建立了固定尺寸电感模型;并调整到与实测电感的L及Q值曲线相拟合,验证了模型的准确性。良好的参数提取精度证明了该建模方法的灵活性和有效性,方法可用于射频以及混合信号集成电路设计。

摘要：采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分对称结构集成来提高片上电感性能的设计方案。此方案能与标准硅基CMOS工艺兼容。仿真结果表明,该方案能有效提高集成电感的Q值。

摘要：实现一个8通道10 b转换精度的逐次逼近式(SAR)模拟-数字转换器。在DAC的设计上采用新的电阻电容混合式的DAC的结构,和传统的C-R式结构相比具有更小的面积。同时对比较器的设计进行了优化,采用一个三级级联的准差分结构,并设计在传统的前置预放和锁存器级联的理论基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计经HSPICE仿真结果证明有效,并采用0.13μm CMOS工艺,分别采用2.5 V的模拟电源电压和1.2 V的数字电源电压供电,实现10位的精度。芯片面积为480μm*380μm,FF case下功耗为0.54 mW。实现了超低功耗的ADC的设计。

摘要：本文提出一种带时钟控制的CMOS比较器结构,它由两级前置差分放大器和一级带有正反馈的NMOS锁存器组成。此设计在前置预放和锁存器级联的基础上,引入了交叉耦合负载,复位、钳位技术,获得了高精度和较低的功耗。设计采用0.18μm CMOS工艺,电源电压为3.3V,分辨率为0.8mV,获得12bit的精度,可以应用于SAR ADC等模数转换器电路中。

摘要：设计了一种CMOS集成串联稳压器,由带隙基准源、误差放大器和分电压元件等组成。内部带隙基准源电路采用带有启动电路和PATA电流的设计。仿真结果表明输出电压为2.5V,当电流从1uA到100mA变化时,输出电压能稳定在2.5V,输出纹波小于120mV,瞬态工作电流100uA,且具有较强的电流驱动能力。

摘要：实现一个12-bit转换精度的逐次逼近式模数转换器,内置DAC采用电阻电容混合的结构,比较器的设计是采用一个三级级联的准差分的结构,芯片设计采用0.18um CMOS工艺,经HSPICE仿真结果证明该转换器是有效的.

摘要：随着CPU芯片朝高集成化、小型化、高频化、多核化趋势发展,便携式计算机散热问题越发突显出来。论文分析了便携式计算机的传统散热方式及存在的问题,利用TRIZ理论和计算机辅助创新软件Pro-Innovator对其进行系统组件建模和因果分析,进行了创新设计,对于计算机CPU散热系统优化设计具有一定指导意义。