摘要：利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品。实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径。

摘要：利用开管扩散方式,使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式,用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出:P_1,P_2区Ga的缓变分布及其与N_1区低杂质浓度的匹配,有效保证了快速晶闸管较高的正反向耐压特性;器件结构参数设计与Ga分布的突出特点使磷在J_3结处得到一个较大的注入比,同时Ga在短基区获得一个足够高的(?),改善了器件的通态特性和di/dt耐量;使器件dV/dt耐量达到1000 V/μs。可见开管扩Ga是综合提高快速晶闸管器件电学性能及等级合格率的一种新途径。

摘要：ＧＴＯ门极触发电路的设计山东工业大学张庆范（济南２５００１４）山东师范大学裴素华，庄益利（济南２５００１４）ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＧＴＯＧａｔｅＴｒｉｇｇｅｒｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ￥／／１前言该电路是为感应电动机的ＧＴＯ斩波器设计的触发电路。它应用于感...

摘要：利用Multisim软件自动设计和分析555定时器、单稳态触发器和报警器电路。结果显示:555定时器的触发端为低电平时,输出端为高电平;触发端为高电平时,输出端为低电平。单稳态触发器的输出脉冲的宽度tW与电阻R、电容C的大小有关,调整R,C的数值,就可以改变输出方波的宽度。报警器电路中,左振荡器输出为低频振荡,右振荡器输出为高频、变频振荡。