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适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析: 收藏
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引用; 《温州师范学院学报》2006年第2期27卷 20-24页; 作者：程新红王洪涛宋朝瑞俞跃辉袁凯许仲德温州大学物理与电子信息学院浙江温州325027 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 东北微电子所辽宁沈阳110021; 设计了一种新型图形化SOI(patterned-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(lateraldouble-diffusedMOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和...; 设计了一种新型图形化SOI(patterned-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(lateraldouble-diffusedMOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.; 来源：详细信息评论

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