摘要：通过应变调控二维材料的电学性质和光学性质是设计新型二维电子和光电子器件的重要环节,也是后摩尔时代薄膜器件设计中的关键技术.薄膜CrI_(3)具有铁磁和层间反铁磁的独特性质,但是关于应变调制其电学性质和光学性质的研究未见报道.本文采用高精度杂化密度泛函理论研究了面内单双轴应变对单层CrI_(3)载流子迁移率和介电函数的调控规律,研究结果与已有的实验和理论值符合较好.计算发现:单层CrI_(3)载流子迁移率非常小,均在10 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)以内;与拉伸应变相比,双轴压缩应变可以显著提升迁移率;当双轴压缩应变量增至8%时,沿锯齿方向电子迁移率增至174 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),达到了MoS_(2)水平.可见光区介电函数虚部x(y)方向Ⅰ号吸收峰强度随双轴拉伸应变量增加明显增强,而z方向几乎没有变化;可见光区x(y)和z方向的介电函数虚部曲线开始攀升的起点对应的光子能量均随双轴压缩应变量增加明显减小,且所有吸收峰呈现明显的红移.结果表明,应变可以明显提升单层CrI_(3)的电荷输运性能和可见光区的光学性能.

摘要：设计了一种共面波导馈电的三陷波超宽带天线。所设计的天线尺寸为30mm×30mm×1.8mm,印刷在介电常数为4.4的FR4介质基板上。通过分别在辐射贴片上加载"哑铃"型缝隙和在共面馈线上加载不对称"U"型缝隙以及共面地板上加载矩形缝隙来实现三陷波特性。利用高频仿真软件HFSS进行仿真、分析和优化,最终实现天线在2.20～11.82GHz的频段内,除了在3.52～3.80GHz、4.60～5.60GHz和7.62～8.30GHz具有陷波特性,回波损耗大于-10dB,则其他频带回波损耗小于-10dB,且具有陷波频带可调的优点。天线能够避免分别来自WiWAX系统、WLAN系统和X波段信号的干扰,同时在超宽带(UWB)天线的通带内能实现良好的远场辐射特性。

摘要：基于混合式学习的通信原理课程交互设计,通过综合传统课堂教学和网络在线学习的优势,凸显出以学生为主体的特点,充分挖掘出学生的主观能动性,培养学生分析问题和设计问题的能力,同时提升学生的工程实践能力和创新能力。分析教学交互设计资源的准备、教学交互设计效果的影响因素,并通过举例模拟信号的幅度调制和解调,来说明混合式学习的教学交互的设计过程。

摘要：文章设计了一种全员成本目标管理系统,该系统功能强大,实用性强,有利于优化生产,开展劳动竞赛。通过实际应用证明,系统的建立为公司生产经营管理提供了有效的管理平台。

摘要：The tunnel field-effect transistor (TFET) is proposed by using the advantages of dopingless and line-tunneling technology. The line tunneling is created due to the fact that the gate electric field is aligned with the tunneling direction, which dramatically enhances tunneling area and tunneling current. Moreover, the effects of the structure parameters such as the length between top gate and source electrode, the length between top gate and drain electrode, the distance between bottom gate and drain electrode, and the metal position on the on-state current, electric field and energy band are investigated and optimized. In addition, analog/radio-frequency performance and linearity characteristics are studied. All results demonstrate that the proposed device not only enhances the on/of current ratio and reduces the subthreshold swing, but also offers eight times improvement in cut-off frequency and gain band product as compared with the conventional point tunneling dopingless TFET, at the same time;it shows better linearity and small distortions. This proposed device greatly enhances the potential of applications in dopingless TFET.

摘要：通过对电子类相关专业的学生就专业核心课开展混合式学习的问卷调查和访谈,了解学生对混合式学习的态度和期望,分析出学生对混合式学习接受度的关键影响因素;从混合式学习平台设计的角度,探索混合式学习的实施举措;最终构建出混合式学习过程性评价指标和体系。以此进一步提升本专业教师的教学水平,学生的创新、创业能力和工程实践能力,促进教学改革,提高教学质量。

摘要：基于现代化的信息技术手段,构建“通信原理”智慧课堂,并通过改革教学内容和教学设计,真正体现以学生为中心的教学理念,落实立德树人的根本任务,实现“通信原理”课程的课前、课中、课后3个教学环节连贯一体,线上线下智慧互动,校企合作育人,创新性教学质量评价,提高学生的主观能动性、工程实践能力、创新能力、团队合作意识等综合素质,切实提升课程的教学效果。

摘要：创新实践教学模式,采用先进的教育教学理念和教学方法,构建一个科学合理的实践教学体系,是顺应中国制造2025新形势下高等教育人才培养改革方向的一个重要举措。本文借助于CDIO的教学模式,对电子科学与技术专业的实践教学进行改革。CDIO教学模式主要体现在构建新型的教与学的模式,全方位多角度地设计电子科学与技术专业的实验实践教学环节,构建基础训练平台、综合能力训练平台、工程实践应用能力训练平台为主的实践教学体系,全方位地培养学生的工程实践和创新创业能力。

摘要：隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点,但其开态电流低。因此,提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管,器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV,靠近漏区的顶栅的功函数为5.25 eV。器件的源区采用窄能隙材料砷化铟以提升器件在源-沟结的隧穿率,从而提升器件的开态电流以及器件的跨导特性。同时,器件的漏-源电容比较小,提升器件的增益带宽乘积、截止频率、跨导频率乘积等射频特性。研究表明,该器件可以应用到未来的低功耗及射频领域。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.