摘要：讨论了在单晶锗上为获得单波段（３～５μｍ）及双波段（３～５μｍ、８～１２μｍ）兼容ａ－Ｃ：Ｈ增透膜所必需的膜系设计，及用椭偏法对该膜进行的增透结果分析。结果表明，ａ－Ｃ：Ｈ膜是理想的红外增透膜。椭偏法对分析所制备的膜是否符合膜系设计要求及沉积工艺参数的确定具有重要意义。

摘要：通过正交试验设计对制备ＶＯ２薄膜过程中的部分影响因素（膜厚，最终热处理温度和热处理保温时间）进行了分析研究。ＶＯ２薄膜由无机溶胶－凝胶法制备Ｖ２Ｏ５凝胶膜经真空热处理而成。试验结果表明，ＶＯ２薄膜的最终电学性能明显受到膜厚、热处理温度和保温时间的影响。其中以热处理温度的影响作用最为显著。当真空度为３Ｐａ、升温速率为２℃／ｍｉｎ时，在试验参数范围内（真空热处理温度３４０～５００℃，保温时间４０～２４０ｍｉｎ，膜厚０．２５～０．４５μｍ），经分析得到使ＶＯ２薄膜具有最大电阻突变特性的优化工艺为：加热温度５００℃，保温时间１４０ｍｉｎ，膜厚０．２５μｍ。文中对试验结果进行了讨论。