摘要：根据多光束干涉原理设计出用于薄膜太阳能电池的异型布拉格背反射器(IDBR)。该异型布拉格背反射结构由两对非晶硅(36.5 nm)/二氧化硅(81 nm)分布式布拉格反射器(DBR)结构与三对非晶硅(73 nm)/二氧化硅(162 nm)DBR结构组合而成。讨论了不同结构的背反射器性能,分析了IDBR中心波长与层数的选择依据。采用迭代法计算了IDBR的反射性能。用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅衬底上生长出具有5对α-Si:H/SiO2结构的IDBR,并测试其反射光谱曲线。实验证明该反射器在420～1400 nm的光谱范围内设计反射率达到87%,在600～1300 nm波长范围内的平均反射率高达91.6%,从而具有显著提高太阳能电池的宽谱吸收效率的潜力。

摘要：根据多光束干涉原理,基于迭代算法,设计出用于异质结太阳能电池的异型分布布拉格反射(IDBR)结构。通过优化设计S1(500nm+800nm)、S2(500nm+900nm)、S3(500nm+1000nm)、S4(500nm+800nm+1000nm)4种不同中心波长组合的异型布拉格背反射结构,发现S3具有最佳宽频带高反射效果,该异质结由两对非晶硅(32nm)/氮化硅(61.78nm)分布式布拉格反射(DBR)结构与三对非晶硅(64nm)/氮化硅(123.57nm)DBR结构组成。借助等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法在异质结太阳能电池背面生长出具有五对α-Si:H/SiN结构的异型布拉格反射镜,并测试其反射光谱曲线。实验证明该异型布拉格反射镜在730～1155nm的光谱范围内反射率达到90%,在750～1110nm波长范围内的反射率高达95%,从而具有显著提高太阳能电池的宽谱吸收效率的潜力,可以对1000～1155nm范围内的红外光进行有效反射,增强电池对红外波段的吸收。

摘要：在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。

摘要：采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.