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基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文)
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《功能材料与器件学报》2006年 第6期12卷 541-545页
作者：杨维明 史辰 谢万波 吴楠 陈建新北京工业大学光电子技术实验室北京100022 
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典...
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