摘要：铁酸铋是目前最为重要的室温单相多铁性材料,其禁带宽度较小,具有较大的剩余极化强度与较高的铁电居里温度,在铁电随机存储器、光电器件等领域有着极佳的应用前景。但铁酸铋薄膜因Bi3+挥发和Fe3+的部分还原,易产生较大漏电流而制约了其实际应用。对铁酸铋薄膜进行掺杂,是改善其电性能的一种有效手段。围绕如何通过铁酸铋薄膜A位和B位掺杂来减少Bi3+挥发和抑制Fe3+还原,从引入掺杂离子后发生的缺陷反应和微结构变化等方面,对国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的系列工作进行综述。阐述了A位镧系和碱土金属离子、B位过渡金属离子、A/B位离子共掺对铁酸铋薄膜微结构、漏电流及铁电性等方面的改性研究进展。对改性效果进行了比较,并从缺陷反应、薄膜晶体结构和表面形貌等方面对改性机理进行了详细介绍。此外,还提出了亟待解决的问题。

摘要：针对数字IC规律性提取算法复杂度过高的问题,提出一种逐级对根节点进行分类的算法.通过对频繁边的直接扩展,实现了小规模频繁子电路的快速提取;利用门级电路中小规模频繁子电路与大规模频繁子电路间的结构依赖性,解决了候选子电路生成时根节点组合爆炸的问题.实验结果表明,该算法能够降低根节点的数量,使支持度高的候选子电路得到优先提取,并显著地减少了规律性提取的时间.

摘要：基于最新的CF/CF+3.0协议,设计了一款基于AHB总线的可配置的CF/CF+卡控制器。设计采用了高性能乒乓操作方式的改进异步FIFO。针对CF/CF+卡实际使用时往往只需要其某一两种模式的特点,采用了一种可定制可裁剪CF/CF+控制器电路的设计思路,极大地提高设计效率;探讨了一种基于SoC高性能接口控制器电路通用体系架构,已成功应用到多种接口控制器的设计中。设计通过了仿真(NC-Verilog)、综合(DC)以及FPGA验证,嵌入到单板系统中,实现了与CF存储卡之间的数据传输。

摘要：本文基于最新的MMC4.1协议,设计了一款基于AHB总线的低功耗MMC卡控制器。设计采用了高性能改进异步FIFO。针对MMC卡常用于便携式产品中的低功耗需求,采用了动态功耗管理和门控时钟技术,可降低功耗约60%;探讨了一种基于SoC高性能接口控制器电路通用体系架构,已成功应用到多种接口控制器的设计中。设计通过了仿真(NC-Veril-og)、综合(DC)以及FPGA验证,嵌入到单板系统中,实现了与MMC存储卡之间的数据传输。

摘要：为有效控制和降低压裂液对储层的伤害,进一步提高压裂液效果,降低压裂成本,开发了满足低渗透储层压裂需要的低质量分数、低残渣、低伤害的胍胶压裂液体系。该压裂液体系胍胶浓度为0.35%,交联剂用量为0.50%,破胶后残渣为144 mg/L,破胶剂用量为0.008%,破胶时间为3 h,与常规胍胶体系相比破胶残渣下降率为51.52%,起泡剂、黏土稳定剂、助排剂用量均为0.50%,温度稳定剂为0.10%。流变等研究分析结果表明该体系具有良好的抗温抗剪切能力,当温度达到140℃时黏度大于100 m Pa·s,在170 s^(-1)剪切90 min后黏度大于80 m Pa·s。通过对岩心伤害率与静态滤失进行研究发现伤害率下降均大于50%,静态滤失较小,有利于降低对储层的伤害。