摘要：为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚度100gm。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响。根据模拟结果，优化了探测器的结构和设计。并用能量为5．9keV的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益，单层最大增益好于1×10^4，双层最大增益好于6×10^4，能量分辨率好于23％。

摘要：介绍了BEPCIITop-up束流注入监测数据获取软件的设计。该系统为核探测与核电子学国家重点实验室正在研制的多点束流监测探测器设计和开发了独立完整的数据获取与处理软件,提供了读出、波形显示、存储等功能,实现了束流注入监测的数据获取目标。

摘要：本文介绍了一种基于THGEM的数字读出型气体电子倍增探测器设计。采用自制THGEM膜板,阳极板采用64X-64Y路条读出,通过多路电子学信号读出的前置模拟放大、过阈、成形、串行读出集成电路芯片GASTONE,可实现在线位置重建。结果表明,探测器位置分辨能力在400μm左右,达到理论预期值。利用多次阈值电压递减法完成了X射线成像以及β射线在室体灵敏空间内能量沉积响应。

摘要：厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM／TGEM）在高能物理实验中有广泛应用，如X射线、带电粒子及中子的探测和成像等领域。THGEM的制作通过印制电路的钻孔、蚀刻和外形等工艺来实现，并要求具有高耐压、强电场、小孔间距和高孔位精度等特点。本文将根据THGEM的以上特点，分析其对PCB在材料选择、设计和工艺制程等方面的特殊要求，并通过对比各条件的产品性能数据给出应用于高性能THGEM制作的PCB解决方莱。

摘要：随着脉冲强流中子源的发展,对高性能中子探测器提出了更大的挑战,3He气体资源严重短缺和高计数率中子探测器的迫切需求,已开始制约着中子源应用技术的发展。中国科学院高能物理研究所针对中子的特殊性,专门研发了一种陶瓷基材的n THGEM(neutron Thick Gaseous Electron Multiplier)探测器用于中子探测。基于n THGEM的中子探测器具有高计数率、高位置与时间分辨能力、增益大、制作工艺简单,且便于大面积制作的特点,是目前国际上发展替代~3He探测技术的重要方向之一。为了详细研究n THGEM探测器的本身性能,本工作使用^(55)Fe放射源研究了n THGEM探测器的增益、计数率稳定性、能量分辨率等关键参数与n THGEM膜间电压、收集场强、漂移场强之间的关系,优化了n THGEM探测器在不同工作气体中的工作参数,为后续进一步优化n THGEM探测器设计和工艺奠定了基础。实验结果表明,单层n THGEM探测器在Ar(90%)+CO2(10%)混合气体中增益能达到103,探测器计数率稳定性良好。另外,还在中国原子能科学研究院的CARR反应堆(China Advanced Research Reactor)上进行了中子束流实验,通过狭缝测量到探测器位置分辨率为(3.01±0.03)mm(FWHM),已经接近高气压3He MWPC中子探测器水平。

摘要：本文介绍了BESIII离线数据处理软件系统的构成以及数据处理的主要流程;给出了利用工具软件TAU(Tuning and Analysis Utilities)对系统性能进行的测试结果,据此结果估算了BESIII实验所需的计算资源,并且与BESIII设计报告的相关部分进行比较,说明了BESIII计算机环境的设计基本满足BESIII离线数据处理的要求。

摘要：基于卡尔曼滤波方法,开发了漂移室径迹拟合算法。在软件中仔细处理多次散射、能量损失等物质效应,处理磁场不均匀性的影响,考虑重力下垂、单丝空间分辨和其他刻度因素。描述了漂移室径迹拟合软件包的设计实现、主要算法,并用模拟样本对算法及其相关参数进行了优化。对其性能进行的研究表明,拟合结果的各种分布是合理的,本软件对径迹参数、误差矩阵以及动量分辨率都有所改善,对低动量的强子径迹更为明显,从而对BESⅢ物理结果有较为显著的影响。