摘要：根据非成像光学理论,提出了一种基于准直系统的自由曲面设计方法。以几何光学为理论基础,设计了一种关于中心轴旋转对称的新型发光二极管(LED)准直系统。准直系统的集光角约为236°,出射光半发光角度小于1°。基于几何光学和能量守恒定律,在准直系统的出射平面上设计了自由曲面,并给出了"多对一"的能量拓扑关系和均匀矩形光斑的照明设计方法。借助Matlab软件,对自由曲面的面型数据进行求解,并在曲线曲面的非均匀有理B样条(NURBS)曲面的理论基础上,采用SolidWorks软件搭建模型,并通过光学设计软件LightTools进行模拟分析。仿真结果表明:新型准直系统能够实现大角度光线的准直,基于准直系统的自由曲面设计方法实现了均匀的矩形光斑。

摘要：为了设计适应多种型号起重机和提高现有工作精度的新型力矩限制器,采用了起重机多元参数调整,拟合计算曲线和实际工作曲线的方法,并结合通讯方式设定力矩限制器的工作参数,实现了适应不同型号起重机和不同量程范围传感器工作的新的力矩限制器系统。介绍了传感器性能选择、硬件系统框图和软件流程图。该系统已经在实际应用中取得良好的效果,工作精度提高到±4%。

摘要：介绍一种基于单片机系统的起重机“黑匣子”设计方法。详细阐述“黑匣子”软硬件设计方法及其基于VB6·0的上位机通讯软件的设计方法,并对软件设计中容易遇到的问题给出了解决方法。

摘要：随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.