摘要：文章介绍了人工智能神经网络技术及其微波应用课程的内容设置与教学改革方法。该课程通过深入介绍微波电路设计原理以及人工智能技术在其中的应用方法,旨在培养学生在高频电路设计领域的创新能力,掌握科学原理和科学方法,熟练使用微波电路设计EDA工具和人工智能技术,以及解决实际工程问题的能力。为了实现教学目标,课程采用多种教学方法,包括多媒体教学手段、虚拟实验室引入、线上线下相结合的学习模式以及项目实践等,以提高学生对微波电路设计原理的理解,增强他们的实际操作能力,并培养解决实际问题的综合能力。此外,文章还强调了教学方法的评估和调整的重要性,以确保教学方法与学生需求相匹配,不断提升教学质量。

摘要：介绍了国内外仿真技术的发展和仿真技术在核电数字化仪控系统设计验证中的应用情况，结合仿真验证平台在CPR1000系列核电工程中所做的设计验证工作，重点描述了全范围仿真技术和虚拟DCS仿真技术在仪控设计验证中的具体应用，并对未来核电仪控工程设计验证领域所采用的新思想、新方法进行了展望。

摘要：对不添加镇流电阻的非均匀发射极条间距的多发射极条异质结双极晶体管(HBT)的射频功率性能和表面温度分布进行了测量,并与常规采用镇流电阻的多发射极条功率HBT进行了比较。实验结果表明,对具有非均匀发射极条间距的多发射极条HBT,采用US QFI TMS红外测量系统测得的最高表面温度、温度分布均匀性以及采用射频测量系统测得的射频功率增益和功率附加效率,分别低于、好于和高于具有镇流电阻的多发射极条功率HBT的情况。这些结果的取得,得益于采用非均匀发射极条间距改善了多发射极条HBT的热电正反馈和不同发射极条之间的热耦合,以及摆脱了传统HBT加镇流电阻带来的对射频功率性能的负作用。

摘要：2015年3月14日，首届“太空梦想”青少年航天科技营在航天城圆满闭幕。闭幕式上，各小组的营员代表不仅汇报了这一个月以来的所学所获与所思所想，更向航天员中心的领导及专家展示了自己的创新实践成果。听过一个个颇显专业又不落窠臼的概念设计方案，望着一件件设计精巧而像模像样的航天产品模型，我不禁惊叹于这群青少年们的创造力，他们不仅有创意。

摘要：设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。

摘要：描述了目前基于CPR1000核电厂数字化仪表控制设计验证平台,开展的仪表控制设计验证的范围、方法和流程。由于Level 1和Level 2设计由不同的设计团队来完成,因此Level 1和Level 2的一致性验证环节对于保证设计质量,极为关键。本文重点通过典型动态验证案例,来对控制功能设计(Level 1层)和画面、报警、规程等人机界面设计(Level 2层)的设计一致性验证进行深入分析。

摘要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。

摘要：本文研究了CPR1000核电厂反应堆保护系统的总体结构，对其纵深防御功能进行了分析。在此基础上介绍了软件共因故障及 AP1000核电厂的应对技术——多样性驱动系统（DAS）。并对基于CPR1000核电厂的DAS基本功能需求和仿真模拟的实现方法进行了研究。以安全壳内主给水系统管道破裂事故瞬态为例，对发生反应堆保护系统共因实效情况下DAS功能的验证、分析过程进行了阐述，证实其功能设置能有效将机组带入安全状态，缓解事故后果。

摘要：基于CPR1000核电厂数字化仪控系统(DCS)设计验证平台,阐述了仪表控制功能设计与主控室人机界面设计正确性与一致性的验证,并通过几个典型动态验证案例,对设计验证技术进行深入探讨。

摘要：设计并研制了 1cm长折射率渐变分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW)单条激光器阵列。占空比为 2 0 % ,在70A工作电流下 ,输出功率达到 6 1.8W ,阈值电流密度为 2 2 0A/cm2 ,斜率效率为 1 1W/A ,激射波长为 80 8 2nm。