摘要：报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30～60℃/cm,拉制的φ50mm,晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm^(-2),局部无位错。

摘要：设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低。SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的。

摘要：为完善教室照明设计及招标文件技术要求,对比了部分省市教室照明的招标技术参数与现行的相关教室照明标准,发现部分省市教室照明招标技术参数要求与标准技术参数要求存在差异,各省市间教室照明招标技术参数要求也存在差异。通过分析各参数的实际作用及影响因素,建议招标及设计时采用以下参数要求:普通教室照明显色指数统一大于90,美术教室照明显色指数统一大于95;色温以5000 K为中心值,同时色容差不大于5 SDCM(标准配色偏差);除考核光通维持率外,将色品坐标、显色指数及蓝光危害等级的变化纳入维持率考核范畴;对维持平均照度、照度均匀度提出要求同时对空间光分布也要提出要求;在实际教室环境中要求统一眩光值不大于16。

摘要：采用光学传递矩阵方法设计了紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜,并利用等离子体增强化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上制备了SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜.光反射测试表明,样品反射谱的峰值波长仅与理论模拟谱线相差10 nm,并随着反射镜周期数的增加而蓝移.由于SiO_2与Si_3N_4具有相对较大的折射率比,因而制备的周期数为13的样品反射谱的峰值反射率就已大于99%.样品反射谱的中心波长为333 nm,谱峰的半高宽为58 nm.样品截面的扫描电子显微镜和表面的原子力显微镜测量结果表明,样品反射谱的中心波长蓝移是由子层的层厚和界面粗糙度的变化引起的.X射线反射谱表明,子层界面过渡层对于反射率的影响较小,并且SiO_2膜的质量比Si_3N_4差,也是造成反射率低于理论值的原因之一.

摘要：根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.

摘要：利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.

摘要：设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.

摘要：研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。

摘要：研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。