摘要：影响蓝宝石抛光去除率的因子有很多,为了得到最佳工艺流程和工艺参数组合,实际工作中需要在诸多影响因素中找出对去除率影响最显著的因子,并以拟合方程的形式来建立数学模型。探讨了运用正交试验的方法,通过MINITAB软件对试验数据进行分析,从而了解各抛光参数对抛光去除率的影响,最终确定一组最优的工艺参数。

摘要：在化学机械抛光(CMP)过程中,温度是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的温度控制方法,把温度控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。通过化学机械抛光机理分析阐述了抛光过程中热量产生的根源,介绍了一种温度控制系统的设计原理,并通过抛光实验验证并说明了温度控制的必要性。

摘要：从设计标准、性能标准、测试方法等方面介绍了SEMI S6标准,并以CMP后清洗设备为例介绍了排气通风设计中的一些注意事项。以CMP后清洗设备中的清洗槽为例,介绍了利用流体仿真软件对排气通风设计的有效性进行验证的方法,对设备排气通风的设计具有指导意义。

摘要：在CMP后清洗工艺过程中,往往需要对机刷进行快速更换。针对以上需求,设计了一种用于晶圆刷洗的同心卡接机构,很好地解决了机刷更换过程同心度存在偏差及更换不便的问题,改善了晶圆表面清洗的效果。