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Fe_(3)O_(4)修饰的碳纳米管作为高性能锂-硫电池正极材料
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《兰州大学学报(自然科学版)》2021年 第6期57卷 838-843页
作者:程璞 刘德全 贺德衍兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室兰州730000 
设计了以Fe_(3)O_(4)修饰的碳纳米管(Fe_(3)O_(4)@CNT)作为硫的载体以提高锂-硫(Li-S)电池的电化学性能.碳纳米管由于具有优越的导电性,可以改善S及其放电产物的电导率,为电子和离子的传输提供高速通道.极性Fe_(3)O_(4)对多硫化物具有...
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电感耦合等离子体CVD制备Si薄膜的研究
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《半导体技术》2007年 第9期32卷 776-780页
作者:杨定宇 蒋孟衡 贺德衍成都信息工程学院光电技术系成都610225 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 
电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采...
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MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜
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《兰州大学学报(自然科学版)》2006年 第2期42卷 43-46页
作者:刘国汉 丁毅 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍兰州大学物理科学与技术学院 北京工业大学材料学院北京100022 
介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置.该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导.应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm/s 以上.为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热...
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