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抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法
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《高电压技术》2023年 第1期49卷 226-237页
作者:李小强 林铭恩 王文杰 吴富强 贺生鹏中国矿业大学电气工程学院徐州221116 国网江苏省电力有限公司连云港供电分公司连云港222000 杭州茂力半导体技术有限公司杭州310012 
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET)在高速开关中引起的桥臂串扰和栅极电压振荡严重制约了其开关速度。针对已提出的基于推挽式电容辅助电路(push-pull-capacito...
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智慧风电5G工业终端边缘计算算法设计和调试
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《东方电气评论》2021年 第2期35卷 6-10页
作者:边晓光 蒲晓珉 周宏林 李勇 吴小田 贺生鹏东方电气集团科学技术研究院有限公司成都611731 
5G工业终端在靠近用户设备的位置提供网络、计算、存储服务,不仅能够实现流量的本地化处理,降低对传输网络和数据中心的流量冲击,而且能够提供低时延和高稳定的应用运行环境,有利于计算框架在终端和数据中心间的延展,有助于实现场景需...
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背靠背功率模块中IGBT的关断过电压抑制
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《东方电气评论》2021年 第2期35卷 11-14页
作者:蒋林 蒲晓珉 边晓光 吴小田 贺生鹏 刘芙伶东方电气集团科学技术研究院有限公司成都611731 
IGBT的关断过电压一直是变流器设计中备受关注的重要课题。本文对IGBT关断过电压的产生原因及吸收电路抑制方法进行了分析,在背靠背变流器系统开发中采用了一些有效抑制IGBT关断过电压的措施,并通过双脉冲试验进行了测试验证。结果表明...
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