摘要：铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就是铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤的高效耦合。针对这一问题,设计了一种基于SiO_(2)、SiON锥形结构以及双层铌酸锂锥形结构的模斑转换器,实现铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤之间模式和能量的高效传递与转换。采用三维有限差分光束传播法对器件结构进行了模拟仿真,并优化了结构参数,可实现与铌酸锂薄膜波导与单模光纤的高效耦合,耦合效率在82.2%~89.0%之间,同时,得到了±1.8μm光纤耦合对准容差,可为下一步制备出高效耦合的铌酸锂薄膜光子器件提供参考。

摘要：近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于该数值推算得到,量子阱的光吸收系数达3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量结果一个数量级.上述实验结果指出,利用量子阱带间跃迁工作机制,有望实现新颖的器件结构设计和提高现有器件性能.

摘要：三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子点以调整太阳能电池带隙.X射线衍射谱中观察到了量子阱的多级卫星衍射峰,量子阱界面陡峭.扫描透射图显示量子点呈金字塔状,量子点的高度约为12 nm,底边长约为27 nm.由原子力显微镜图可知,量子点密度约为2×10^(10) cm^(-2).低温光致发光谱显示量子点在As4束流下呈双模分布.光电流响应谱显示InAsdots-in-well量子点太阳能电池吸收波长可以达到1300 nm,相应于带隙约为1.0 eV.器件J-V特性显示短路电流相比于GaA s标准p-i-n电池增加了37.8%.这表明该InAsdots-in-well量子点太阳能电池有望改善多结太阳能电池的设计中的电流阻塞效应,实现电流匹配,在多结太阳能电池的设计中具有广阔的应用前景.

摘要：设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上。测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350mA工作电流下正向电压为3.0V。将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连。

摘要：文章从设计图纸尺寸链核对、车体制造工艺及机车设备安装对车体挠度影响的3个方面进行了分析和检测,结果表明:设计尺寸及机车设备安装对车体挠度影响不大,车体制造时底架挠度预制工艺不合理导致车体底架呈W状,是车钩高度超高的主要原因。通过改变车体总成时底架挠度预制工艺,使底架两端处于下垂状态,成功解决了车钩超高的问题。