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半导体3—D磁敏器件的设计与分析
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《Journal of Semiconductors》1989年 第12期10卷 930-935页
作者:刘亿 赖宗声上海半导体器件所 上海 华东师范大学 上海 
本文将普通的双极型IC工艺用干磁敏器件的制作中,成功地研制了一种新型三维磁敏晶体管,并在理论和实验上分析讨论了其灵敏度、线性度和失调等问题.用该方法制作的器件对B;分量的灵敏度S;较国外文献报道的高一个数量级.
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一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器
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《电子与信息学报》2011年 第12期33卷 3035-3039页
作者:阮颖 刘炎华 陈磊 赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 上海电力学院计算机与信息工程学院上海200090 
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极...
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无线通讯用硅基微小天线的设计与制作
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《固体电子学研究与进展》2007年 第3期27卷 361-365页
作者:郭兴龙 蔡描 刘蕾 游淑珍 赖宗声华东师范大学信息学院电子系上海200062 
采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集...
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433MHz ASK接收机射频前端电路设计
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《固体电子学研究与进展》2010年 第4期30卷 543-549页
作者:徐萍 何伟 张润曦 赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心上海200062 
设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前...
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基于遗传蚁群算法的片上网络映射研究
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《计算机工程》2010年 第22期36卷 262-264页
作者:刘炎华 刘静 赖宗声 景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 
基于2DMesh结构的片上网络在设计之初就要考虑模块映射问题,以满足通信功耗的约束。提出一种基于遗传蚁群映射算法的方法解决片上网络设计中通信功耗最小化问题。该算法针对标准蚁群算法易于出现早熟停滞等缺陷,引入轮盘赌选择机制及染...
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802.11a频率同步和信道估计的分析及ASP实现
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《计算机工程》2007年 第9期33卷 114-116页
作者:初建朋 李小进 赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 
分析了802.11a无线局域网(WLAN)OFDM基带接收系统中频率同步和信道估计算法的运算特点。针对实际算法的特点,设计了一个面向应用的专用DSP处理器(ASP),利用ASP可以以软件方式实现802.11a前导序列的接收。经实际流片验证表明,该设计可以...
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便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计
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《固体电子学研究与进展》2010年 第3期30卷 402-407页
作者:徐萍 何伟 张润曦 马和良 赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心上海200062 
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可...
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硅基RF无源低通滤波器设计与实现
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《电子器件》2006年 第1期29卷 88-91页
作者:李小进 石艳玲 游淑珍 赖宗声华东师范大学电子系上海200062 
无源滤波器具有功耗小、面积小,噪声小的特点,优于传统的有源滤波器,而研制高品质因子的电感和电容是研制片上无源滤波器的一个难点。文中讨论了影响电感Q值提高的因素,并将结构参数优化应用于无源滤波器的设计中。根据网络综合法设计...
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一种低噪声高线性度射频前端电路设计
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《固体电子学研究与进展》2006年 第2期26卷 188-193页
作者:许永生 游淑珍 俞惠 李小进 石春琦 赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 
介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系...
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高速基2FFT处理器的结构设计与FPGA实现
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《电路与系统学报》2005年 第5期10卷 49-53页
作者:李小进 初建朋 赖宗声 徐晨 景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 南通大学江苏南通226007 
本文研究了采用AISC来实现高速实时基2FFT处理器的设计方案。在实现中采用了单基2定点内核,设计了防溢出控制结构,在不增加系统延时的基础上,提高了运算精度。设计了对称乒乓RAM结构,在保证蝶形运算核的占用率的条件下,提高了该FFT处理...
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