摘要：D触发器是时序逻辑电路的基础,随着集成电路工艺尺寸进入纳米级,单粒子多节点翻转(single event multiple upset, SEMU)现象趋于严重,双互锁存单元(dual interlocked storage cell, DICE)触发器加固设计方法的抗单粒子翻转(single event upset, SEU)能力已不能满足宇航需求。基于纳米工艺下D触发器的SEU加固技术以及DICE结构的翻转机理,兼顾电路性能、面积和功耗等资源开销,提出了一种以DICE电路结构为基础的版图级抗SEU触发器设计方法,并采用商用65 nm工艺实现了一款抗SEU的D触发器设计,其面积仅为商用结构触发器的1.8倍。电路功能及辐照性能仿真表明,该触发器的建立时间和传输延迟与商用结构触发器相当,在线性传输能(linear energy transfer, LET)阈值大约为37 MeV·cm~2/mg的Ge离子轰击下没有发生SEU,触发器电路的性能和抗单粒子软错误能力表现优秀。在抗辐照专用集成电路设计中,极大节省了由加固D触发器电路所带来的面积、布线资源和时序开销。

摘要：提出了一种新的用于H.264/AVC的分数运动估计VLSI结构.首先改进分数运动估计算法的迭代顺序,将1/2像素精度和1/4像素精度的串行搜索改为同时进行,设计出一种空间上具有更高并行度的VLSI结构;另外该结构不需要输入和输出1/2插值数据,因此减少了存储带宽需求.该结构计算H.264/A VC中一个宏块1/4像素精度的41个运动向量需要1344个时钟周期.在0.18μm CMOS工艺下作了逻辑综合和仿真,结果表明时钟频率为147MHz时,面积为276k门,能够满足SDTV(1280×720)@30Hz的视频编码需要.相比现有结构,该结构降低了存储访问带宽需求,提高了数据吞吐率.

摘要：利用化学惰性的甲烷和二氧化碳经重整反应制备合成气是一种十分有前景的策略,能够实现两种温室气体化学转化并制备高附加值化学品,具有重要的科学、环保意义和工业应用价值。然而该反应受限于反应能耗高、催化剂易烧结、积炭失活等问题,因此,开发高催化活性、高稳定性及抗积炭性能强的催化剂是实现该反应工业化应用的关键。从催化剂的基本组成出发,综述了目前国内外甲烷二氧化碳重整催化剂活性中心和载体的设计思路;重点介绍了协同效应在提升催化活性及稳定性等方面所起的关键作用;分析了通过合金化或空间结构化策略来实现协同效应的高效催化过程,并提出未来甲烷二氧化碳重整催化剂的设计和发展方向。

摘要：通过将数据与时钟的转变沿进行对比,检验其是否同步,设计了一种改进的基于时钟沿的单粒子翻转自检纠错电路结构,来实现数据翻转错误的检测和纠正。该电路在保持原有电路优点的同时,克服了原电路的不足,既可完成上升沿和下跳沿错误检测,又可以同时实现多位SEU错误的检测纠正。仿真和实际应用均表明,所提出的改进电路是一个有实用价值的检错纠错电路。

摘要：数学源于生活,又服务于生活。以函数概念起始课为例,紧密联系生活实际,从学生已有的知识和生活经验出发,通过创设生活情境,让其感受数学与生活密不可分,从而帮助他们更好地理解知识,提高课堂教学效率。

摘要：根据我国路桥抗震设计规范,桥梁工程设计地震动参数以重现期T=475年和2 000年的概率水准确定,地震危险性概率分析方法(PSHA)常用于计算此类工程的基岩峰值加速度(PGA)。以豫南地区某桥梁为研究对象,对地震动参数进行概率危险性计算。结果表明:该桥在重现期T=100、475和2 000年概率水准下的基岩峰值加速度分别为12.7、31.6和72.5 gal;对应水平向设计地震动峰值加速度分别为19.3、45.7和98.7 gal。研究区位于第5代中国地震动参数区划图0.05 g区,建议设计基本峰值加速度为50 gal,其与计算结果较为一致。

摘要：陕西肚兜有着非常浓厚的地域性色彩,目前对陕西肚兜的地域性色彩研究的文章较少。文章对陕西地区的肚兜展品进行统计、分析,归纳陕西肚兜展品的设色特点。且通过数据分析,发现陕西肚兜的色彩受到中国传统色彩中"正色-间色"体系的影响,为肚兜地域性色彩文化的深入研究提供了数据支撑与探索依据。

摘要：从贯彻与落实新时代全国高等学校本科教育的会议精神出发,为引导教育工作者对服装设计专业人才培养模式的反思,采用问卷调查与访谈的调研方法,揭示了本科服装设计专业学生因现行教育体系下课程设置门类分散,在专业设计课程中普遍存在忽视服装设计思维构建,从而导致知识断层的教学问题。进一步总结服装设计思维构建在人才培养模式中的重要性,以及寻求解决问题的方案,力求提倡在教学中注重服装设计思维构建的意识,为提高服装设计专业人才培养质量提供参考。

摘要：针对低压差分信号驱动电路对共模电压和参考电流的需求,提出了一种新型带隙基准源结构,可在一个基准模块内同时提供带隙基准电压和基准电流.对传统带隙基准进行了改进,优化了基准电压和基准电流的温度特性.仿真结果显示,所设计的基准源电路具有较好的温度特性,在温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温漂系数为17.4 ppm/℃,电流基准的温漂系数为63.3 ppm/℃.作为参考电压与电流基准,可有效保证LVDS信号的稳定性.

摘要：针对Xilinx Virtex5系列器件开展了器件架构、器件单粒子敏感性和单粒子翻转防护技术的研究,针对翻转截面较大的配置存储区实现了配置区自动回读刷新纠错技术,仿真验证结果证明提出的方法正确有效,具有较大工程应用价值。