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铒离子注入6H-SiC的横向离散研究: 收藏
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引用; 《物理学报》2010年第9期59卷 6390-6393页; 作者：秦希峰王凤翔梁毅付刚赵优美山东建筑大学理学院济南250101; 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体...; 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的400keVEr离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.; 来源：详细信息评论

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