摘要：本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。

摘要：采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化 .Raman光谱和透射电子衍射 (TEM)的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H SiC多型结构 .电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体 .实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 .随着晶化作用的加强 ,电导率增加 .

摘要：研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。

摘要：通过对振动阴极反应室的研究，针对粉粒与金属阴极接触的问题，提出新的改进设计。采用射频电源感应线圈，振动石英管内部放电的方式进行刻蚀。既有振动阴极反应室的效果，又避免掺入杂质，是一种可行的新反应室设计。

摘要：研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。

摘要：研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的Ｐ／ｎ界面处附加载流子复合是由少数载流于浓度、界面态和Ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和ｉ层厚度匹配来实现ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａＳｉＧｅ三结太阳电池结构的最佳化，同时采用改善ｎ／ｉ界面特性的缓冲层技术；获得了Ｖｏｃ＝２．４８Ｖ、Ｊｓｃ＝６．５８ｍＡｃｍ－２、ＦＦ＝７０．４％、在ＡＭＩ光照下转换效率为１１．５％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结叠层太阳电池。

摘要：研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结集成型色敏元件及其传感器的制备工艺和结构，详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明，采用ａ－ＳｉＣ／ａ－ＳｉＰＩＮ异质结构和分离反应室的ＰＥＣＶＤ工艺，使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显的改善。利用这种色敏元件及其传感器可以实现高精度的颜色识别。