摘要：根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右。在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22mm×40mm的ZnGeP2单晶。对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063°;晶片在2～12μm波段范围内的红外透过率达50%以上。实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体。

摘要：对核电站广泛使用的电缆防火涂料和有机防火堵料进行了耐γ辐射的研究。结果表明:1000kGy以上的γ辐射能严重恶化电缆防火涂料的抗弯性、耐湿热性、耐冷热循环性。500kGy以上的γ辐射对有机防火堵料的耐火性和腐蚀性都有很大影响。

摘要：本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。

摘要：Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果,设计并制作了硅钼棒加热单晶生长炉,获得了适合Cu单晶体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体。对生长的晶体进行切割、抛光腐蚀后,采用金相显微镜和X射线衍射分析,结果表明:研究设计的温场适合Cu单晶体的生长,生长出的晶体结晶性好、结构完整。

摘要：本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理面的X射线衍射谱 ,结果表明生长晶体的质量较高。

摘要：设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达15mm×65mm。采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好。运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5μm范围内的红外透过率在53%以上,晶片的红外透过率均匀性接近90%。对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6K-1,几乎为αc的三倍。计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理。

摘要：采用B-S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体解理面进行X射线衍射分析得到(101)面,表明生长出的AgGa1-xInxSe2晶体结构完整,所设计的温场适合于AgGa1-xInxSe2单晶生长.

摘要：根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。

摘要：以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。

摘要：对磷硅镉（CdSiPz）单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析，设计出新型的逐层减压坩埚。通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压，平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力，实现逐层减压，从而减小了内层坩埚形变，降低了生长容器爆炸的几率。同时，改进了布里奇曼生长法的降温工艺，生长出尺寸达＋14mm×32mm的CdSiP：单晶体。X射线分析表明单晶衍射面为（204）晶面，回摆峰半峰宽值为0．434，衍射谱峰强度高，具有良好的对称性；晶体在1500—7500cm。波数范围的红外透过率达55％，吸收系数为0．10～0．17cm-1。电阻率1．3×107Ω．cm。