摘要：随着近年来太阳能光伏发电技术的发展,高精度太阳位置跟踪技术越来越重要。但是一般传感器在保证了高精度情况下往往忽略了跟踪范围因素,导致传感器经常出现因跟踪范围小而搜索不到太阳的情况。为了保证光电传感器在跟踪范围、跟踪精度等方面同时达到要求,提出了一种基于S3C2410开发板为控制核心的跟踪控制系统设计方法,采用光电跟踪和视日运动轨迹跟踪互补的光筒式传感器结构。该系统使用数据库记录晴天情况下每天的太阳运动轨迹,更加有效地提高对太阳能的收集和利用的效率并能扩大对太阳的跟踪范围,有较好的应用前景。

摘要：网络教育集中代表了现代远程教育的教学技术先进性与办学开放性的有机结合,网络课程则是网络教育成败的关键。本文首先介绍了网络课程的现状,然后对网络课程的设计进行了探讨。

摘要：塔板效率在实际塔设备设计中作为一个极为重要的指标,不仅描述了塔板上的传质效果,而且也是传统平衡级理论中连接工艺变量(理论板数)与设备变量(实际塔板数)的桥梁。从气液构型、液相返混、气液不均匀分布、塔板上气体混合、漏液、雾沫夹带等方面详细剖析了影响塔板效率的各个因素,以期为各种塔板的最佳操作点提供理论依据。

摘要：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺是制备高可靠宇航电子器件的理想半导体工艺,因此深入揭示FDSOI工艺器件的单粒子效应机理对抗辐射加固设计具有理论指导意义。针对22 nm FDSOI SRAM测试器件,研究了不同重离子及电学参数对器件单粒子翻转敏感性的影响规律及物理机制。实验结果表明,高LET值区域单粒子多单元翻转事件占比可达20%,且核心电压对单粒子翻转类型比例及发生概率影响较小;重离子倾角入射会显著增大器件的单粒子翻转截面,且重离子沿平行与垂直衬底阱区方向入射时的单粒子翻转截面差异可达130%。因此,FDSOI器件单粒子效应建模及抗辐射加固设计,必须考虑非直接扩散型电荷共享机制、衬底电势畸变触发寄生电流机制对单粒子瞬态电离电荷收集过程的影响。

摘要：为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。