摘要：为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。

摘要：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺是制备高可靠宇航电子器件的理想半导体工艺,因此深入揭示FDSOI工艺器件的单粒子效应机理对抗辐射加固设计具有理论指导意义。针对22 nm FDSOI SRAM测试器件,研究了不同重离子及电学参数对器件单粒子翻转敏感性的影响规律及物理机制。实验结果表明,高LET值区域单粒子多单元翻转事件占比可达20%,且核心电压对单粒子翻转类型比例及发生概率影响较小;重离子倾角入射会显著增大器件的单粒子翻转截面,且重离子沿平行与垂直衬底阱区方向入射时的单粒子翻转截面差异可达130%。因此,FDSOI器件单粒子效应建模及抗辐射加固设计,必须考虑非直接扩散型电荷共享机制、衬底电势畸变触发寄生电流机制对单粒子瞬态电离电荷收集过程的影响。