摘要：内部审计服务包括确认和咨询服务,是典型的多任务代理问题。由于咨询服务的结果难以精确观测,以及确认和咨询服务之间的替代性,导致基于业绩的薪酬激励产生了弱化趋势。应用多任务代理理论构建模型来分析内部审计服务可以解决上述问题,并在此基础上可以进行内部审计服务的最优契约设计。

摘要：地下储气库作为季节调峰及应急采气的手段,具有单井产量高、快速强注强采、地层应力交替变化等特点。呼图壁储气库经过多个周期注采运行,表现出注采井利用率低、井网调峰能力不足、地面装置运行效率偏低等突出问题,且随着气库逐步达容,地层压力已接近设计上限,区域断裂、盖层、井筒均存在漏失风险。因此开展周期库容诊断评价、调峰能力评价及水侵区动用技术研究,提高储气库井网利用率和调峰能力,形成集"库容诊断、井筒完整性评价和微地震监测"为一体的气库完整性评价技术,评价落实气库动态密封性,保障气库"存得住";优化地面配套增压及集输处理工艺,保证注气压缩机运行效率及外输气产品质量,确保合格气"送得走"。最终形成了集注采地质、井筒工艺和地面集输为一体的储气库扩容提采关键技术体系,实现了呼图壁储气库多周期的安全、平稳、高效运行,为气库预定调峰能力的发挥提供了技术支持。

摘要：采用有限元方法对四种不同结构形式的安装座系统进行了模态分析,所得固有频率与工作频率比较,确定了较优的结构设计方案,为安装座的结构修改提供了依据。

摘要：本研究针对调谐黏滞质量阻尼器结构现有设计理论中存在的缺陷,提出了基于遗传算法的参数优化设计方法。现有方法利用定点理论获取阻尼器优化设计参数时,存在忽略主结构固有阻尼,优化参数适应频带窄以及附加质量比取值不明确等问题。基于遗传算法的调谐黏滞质量阻尼器结构优化设计方法可以根据实际需求适应目标,能够综合考虑共振频率和非共振频率对结构的影响。研究中针对主结构为单自由度的体系,对采用两种方法得到的设计结果进行了对比分析,结果表明,相较于既有方法,所提出的方法能够更为有效地得到系统的优化解,获得更好的减震效果。

摘要：针对产品可靠性评估中忽视使用应力变化的问题,基于加速寿命试验的思想,利用加速系数,在已知加速模型的基础上建立了处理变化使用应力的时间折合模型及变化的使用应力在某个时间段内的等效应力模型。最后将上述模型应用到了某型舰船电缆绝缘材料的等效使用环境温度计算中。通过与原方法对比,验证了文中方法的正确性及有效性。该方法对产品其他情况下变应力的处理有借鉴作用。

摘要：设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。

摘要：对某电厂300 MW循环流化床锅炉结焦原因进行了分析,得出低阻力布风板虽然有良好的布风均匀性,但其正常流化状态抗扰动的能力较弱,在受到扰动时流化态容易恶化,从而形成床料贴壁结焦。同时,锅炉添加床料系统给料点设计不良,导致炉膛内床料粒度不能均匀分布,也是造成流化不良的原因。对此,提出了严格控制起动运行参数,适当增加一次风量,缩短起动时间等措施,在一定程度上可避免结焦。

摘要：目的:测定黄芩总黄酮的溶解度和表观油水分配系数,为指导其剂型设计和制备提供一些参考。方法:采用紫外分光光度法测定了黄芩总黄酮在水及不同溶剂的溶解度,同时测定了其在正辛醇-水/缓冲溶液中的表观油水分配系数。结果:黄芩总黄酮的溶解度随着溶剂极性的降低而降低,并且在碱性环境中的溶解度相对较高;黄芩总黄酮的表观油水分配系数与溶液pH有一定的关系,在pH2.0缓冲液中的表观油水分配系数最高,为15.874。结论:黄芩总黄酮的溶解性较差,而且pH对其溶解度和表观油水分配系数均有较大影响。

摘要：为了更方便和深入研究紧凑环注入(CTI)系统产生的等离子体团在等离子体中的演化过程,特设计了一套大尺寸、均匀的六硼化镧等离子体源,用来产生磁化、高密度等离子体。等离子体源的阴极采用钨丝间接加热的方式来达到工作温度,阴极最高可达到1800℃。阳极采用耐高温、透过率50%的钼金属网,与阴极之间轴向间距1m。在阴极和阳极之间施加40~200V偏压,阴极发射的电子与中性气体碰撞、电离进而产生长1m直径100mm的稳态磁化等离子体柱。在台面实验中,测试了源的放电性能和等离子体相关参数。实验结果表明,在阴极发射电流密度为1~2A·cm^(-2)的情况下,测得的氩等离子体电子密度可达到10^(18)m^(-3)量级,电子温度约为8eV。通过增加阴、阳极之间偏压,阴极发射电流密度最高达到8.5A·cm^(-2),等离子体参数与托卡马克边界参数相近。该等离子体源满足设计要求并具备为EAST-CTI系统开展台面实验的能力。

摘要：A 4H-SiC MOSFET with breakdown voltage higher than 3300 V has been successfully designed and fabricated. Numerical simulations have been performed to optimize the parameters of the drift layer and DMOSFET cell structure of active area. The n-type epilayer is 33μm thick with a doping of 2.5 × 10^15 cm-3. The devices were fabricated with a floating guard ring edge termination. The drain current 1d= 5 A at Vg = 20 V, corresponding to vd = 2.5 v.