摘要：两河村小型水电站无压隧洞的原设计方案中隧洞的施工存在工作面少,工期长,防洪压力大等问题,引水隧洞的施工工期成为影响电站能否早日发挥效益的最大因素。针对此问题,根据实际地形、地质、洪水等情况,通过分析论证后,优化方案中取消原设计方案中两处沟道中的明涵,变为隧洞,同时增加两条支洞,通过方案优化后,可以将隧洞施工中原来的六个工作面增加至八个工作面,同时避免了洪水的影响。同时可缩短工期及节约工程投资,为工程早日发挥效益提供保障。

摘要：通过对汉中城区防洪工程现状及城市堤防景观建设需求的分析,结合防洪治理规划,阐述了汉中防洪宜针对河堤现状,进行堤防加固、河道整治、护坡护岸、河流疏浚等工程,并结合滩地绿化、堤岸照明等措施,综合进行防洪工程加固及两岸堤防景观建设。

摘要：本文基于顶层硅膜厚度为3μm的SOI衬底,设计了一种超薄硅层线性变掺杂漂移区结构的LDMOS晶体管,通过优化漂移区的工艺参数,显著改善了器件的表面电场分布,降低了漂移区两端的电场峰值,提高了横向耐压能力;通过形成超薄硅层漂移区提高了埋氧层处SiO_(2)与Si的临界击穿场强比,提升了器件的纵向耐压能力.采用分区掺杂的方式一次注入后高温扩散以形成漂移区线性分布,简化了工艺流程,对漂移区注入窗口进行了优化设计,实现了较好的漂移区浓度线性分布,通过先刻蚀再氧化的方式对漂移区进行减薄,降低了工艺要求.本文围绕关键工艺参数对器件击穿特性的影响进行了理论与仿真研究,对影响器件击穿电压的关键工艺参数进行了分析讨论,通过TCAD软件对器件工艺流程及特性参数进行了仿真分析,获得了优化的工艺条件.与同类高压器件相比,采用本文工艺结构的器件具有1036 V的高击穿电压,阈值电压为1.3 V,比导通电阻为291.9 mΩ·cm^(2).本文提出的器件所采用的SOI硅层厚度为3μm,易于与纵向NPN、高压CMOS器件兼容,为SOI高压BCD工艺集成的研究提供了参考.

摘要：随着抗肿瘤药的不断更新,在临床抗肿瘤治疗过程中,大部分抗肿瘤药物在进行静脉输注时需要避光,因此会使用配套避光输液器和避光袋.目前临床使用的避光袋传统套法是将避光袋大开口端向上,将化疗药物液体瓶瓶口向下由大口端套入避光袋中,瓶口通过避光袋另一端的小开口端露出并插入避光输液器,将避光袋大开口端上的挂孔悬挂在输液挂勾上即可.随着临床电子信息化的使用和静脉指南、职业防护要求的不断提高,传统避光输液袋在使用过程中存在以下缺点.见图1.