摘要：指针仪表作为一种重要的检测工具在核电领域中被广泛使用,针对不同类型、不同距离条件下指针仪表读数识别准确性低和检测速率低下的问题,提出了一种基于YOLOv8和DeepLabv3+的仪表读数识别方法。为了提高DeepLabv3+模型的图像输入质量,选择了推理速度快且准确的YOLOv8检测器定位仪表区域并裁剪后作为输入图像用于仪表识别。针对仪表指针识别准确率低和检测速度慢的问题,在DeepLabv3+模型的基础上,将骨干网络替换为MobileNetv3,并设计ECA+模块将其SE模块替换,降低模型参数的同时提高识别精度;将解码器的4倍上采样替换为两个2倍上采样,浅层特征图与编码器相应尺寸的特征进行拼接融合,并引入CBAM模块,提高指针分割的准确性。试验阶段,采用自制核电厂指针式仪表图像数据集,实验结果表明,该方法在仪表精度为2.5的级别下达到了94%的识别准确率,平均误差为1.542%,平均总耗时为0.57 s,具有较好的性能表现。

摘要：为了确保煤矿井下选矸车间通风可靠和安全运行,利用FLUENT软件对井下选矸车间的风流流场进行了数值模拟,为合理通风提供理论支持。结合常村煤矿井下选矸车间的具体布置,建立三维物理模型,模拟分析了不同风量情况下各地点的风速分布,确定出最低风量要求。通过风流流场分析,找出了相应的微风和涡流区域。根据最低风速要求,采取改变巷道局部设计、增加导风板措施杜绝该区域出现微风和涡流现象,以保障井下安全生产。

摘要：利用机械剥离和高温减薄方法制备了厚度约为5 nm的GeSe纳米片,并通过设计实验装置测试了GeSe纳米片在不同浓度氧气(O_(2))和丁烷(C_(4)H_(10))气体中的电导性能.结果表明,随着氧气浓度的增加,GeSe纳米片在相同电压下所测得的电流增大,而在丁烷气体中所测得的电流减小.通过第一性原理计算发现,O_(2)分子从GeSe获得电子.气体浓度越大,P型半导体GeSe主要载流子空穴的浓度也越大,从而电导率增大.当GeSe吸附丁烷气体时,随着丁烷气体浓度的增加,相同电压下电导率减小.其原因可归结为GeSe薄膜器件在加工过程中从空气中吸附了O_(2)分子,由于薄膜中存在较高密度的Se空位,导致O_(2)的高密度吸附.从而导致在吸附还原性气体时,丁烷气体易失电子.即电子从丁烷气体分子中转移到GeSe薄膜表面与空穴中和,降低了GeSe薄膜中的载流子空穴浓度,从而降低电导率.本文的研究有助于GeSe纳米片在氧气和丁烷气中的光电器件应用.

摘要：在硅基上成功地制备出了1.55μmInPInGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InPInGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.

摘要：本文把绉效应作为双绉的主要风格建立起了可表征绉效应和织物工艺结构参数间关系的风格设计方程以及可表征这些参数和织物手感间关系的辅助风格设计方程．只有能够同时满足这两个方程的工艺结构参数才能得到良好的绉效应和手感。

摘要：米的认识是在学生认识了厘米的基础上进行教学的,主要目的是使学生建立米的长度观念,知道厘米和米的进率,教学中充分利用周围可利用的教学资源,让学生切身体会到1米的实际长度,并通过动手测量物体长度、身高等加深对1米的认识。