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通过高长宽比横向结构的设计提升基于Ge2Sb2Te5材料的相变存储器的多值存储能力: 收藏
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引用; 《Science China Materials》2022年第10期65卷 2818-2825页; 作者：赵锐哲何明泽王伦陈子琪程晓敏童浩缪向水Wuhan National Laboratory for OptoelectronicsSchool of Optical and Electronic InformationHuazhong University of Science and TechnologyWuhan 430074China Hubei Yangtze Memory LaboratoriesWuhan 430205China; 如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件,该器件采...; 如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件,该器件采用传统的硫系化合物Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)就可以实现稳定的多值操作,并且器件具有较好的一致性以及较低的电阻漂移系数(0.009),其优异的多值性能主要是由于在设计的高长宽比结构中,绝缘层侧壁的限制使得相变材料的非晶区域可以精确控制,这也被透射电子显微镜分析证实.本文设计的纳米线器件为提升高深宽比三维相变存储器的多值存储能力提供了重要指导.; 来源：详细信息评论

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