摘要：为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.

摘要：为提高齐整小核菌(Sclerotium rolfsii)发酵产胞外多糖能力,该研究对培养基不同碳源、不同氮源和无机盐进行优化,采用单因素试验、最陡爬坡试验和响应面(Box-Behnken)设计试验等方法优选培养基配方。结果表明,最优培养基配方为葡萄糖136 g/L、胰蛋白胨7 g/L、硝酸钠4 g/L、氯化钾0.5 g/L、磷酸氢二钾1.3 g/L、硫酸镁0.4 g/L和硫酸亚铁0.1 g/L。在此优化条件下,多糖产量最高,为(23.76±1.05)g/L,相比原始培养基提高54.42%。

摘要：为了在兼顾特征频率(fT)和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压(BVCBO/BVCEO),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区Si Ge异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区(collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低"死区"内的电场强度,使较高的电场强度转移至"死区"外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度(dp)的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值(fT×BVCEO×β)的新型超结集电区Si Ge HBT.结果表明:与传统Si Ge HBT相比,新器件的fT×BVCEO×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率Si Ge HBT的高压大电流工作范围.

摘要：为了同时满足无限局域网(wireless local area network,WLAN)和新一代无限保真(wireless fidelity,WIFI)无线通信标准,设计实现了一款增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器(dual-band low noise amplifier with multiple gain-tunability,MGT-DBLNA).输入级采用串-并联谐振滤波网络以实现双频段输入匹配.放大级采用可调谐的有源电感作负载和偏置电压可变的电流复用结构,一方面,可通过调节有源电感的外部偏压和偏置电路的电压2种不同方式,对MGT-DBLNA的增益进行单独或联合调节,另一方面降低了功耗.输出级采用由电流镜以及共集电极放大器构成的可控缓冲器,可实现增益的进一步调节.基于WIN 0.2μm Ga As HBT工艺库进行验证,结果表明:在不同工作频率2.4、5.2 GHz下,MGT-DBLNA的增益(S21)可分别在3.9~12.3 d B、12.6~20.2 d B范围内调节;输入回波损耗(S_(11))与输出回波损耗(S_(22))均小于-10.0 d B;噪声系数(noisefigure,NF)小于3.4 d B;在5.0 V的工作电压下,静态功耗小于20.0 m W.所提出的MGT-DBLNA不仅实现了增益的大范围调节,同时也降低了功耗.

摘要：设计了一款增益可调且平坦的超宽带低噪声放大器(FTG UWB-LNA)。输入级采用具有新型偏置电路和RLC反馈的共基-共射放大器;输出级采用电流镜偏置的共集放大器;放大级采用新型有源电感与达林顿结构构成的组合电路。实现了增益的可调且平坦以及宽带输入输出匹配。基于WIN 0.2μm GaAs HBT工艺库,对FTG UWB-LNA进行验证,结果表明:在1 GHz～6 GHz频带内,增益S_(21)可以在21.16 dB～23.9 dB之间调谐,最佳增益平坦度达到±0.65 dB;S_(11)小于-10 dB;S_(22)小于-12 dB;FN小于4.08 dB;在4 V的工作电压下,静态功耗小于33 mW。