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0.35μm CMOS工艺的品质因数时域测量电路: 收藏
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引用; 《西安电子科技大学学报》2017年第2期44卷 75-80页; 作者：任小娇张明 LLASER Nicolas 越柏鹤庄奕琪西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 基础电子研究所巴黎第十一大学巴黎萨克雷大学奥赛91405; 基于品质因数的时域测量方法,提出了一种新的可以片上集成的品质因数测量电路,不仅在特定频率能实现品质因数的精确测量,还可在保持电路精度的前提下,覆盖一定待测信号的频带.在采用之前提出的可重构电路的基础上,改进了峰值探测器的补...; 基于品质因数的时域测量方法,提出了一种新的可以片上集成的品质因数测量电路,不仅在特定频率能实现品质因数的精确测量,还可在保持电路精度的前提下,覆盖一定待测信号的频带.在采用之前提出的可重构电路的基础上,改进了峰值探测器的补偿方式,进行了系统精度和扩频所需的理论分析,有效指导了电路的设计.另外,数字控制逻辑的改进,将总功耗降低7.5%.并通过集成电路的方式在0.35μm CMOS工艺下实现此电路,在电源电压为5V,输入信号频率为1MHz的条件下,实现品质因数的相对误差小于±0.2%,并且在精度不变的情况下,将待测信号的频段扩展到100kHz^1.5MHz.; 来源：详细信息评论

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