摘要：本文系统地提出了一种微波单片集成电路的中心设计方法,有效地提高了单片电路的成品率,改善了电路性能;同时,占机时少,收敛速度快。试用结果表明,该方法是有效和可靠的,具有应用前景。

摘要：本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.

摘要：报道了Ｃ波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管（ＤＧＦＥＴ）放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了ＤＧＦＥＴ器件Ｓ参数的提取步骤。两路放大器和９０°相移网络制作在３．１５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上，同相功分器制作在１．６（１．８）ｍｍ×２．９ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上。电路可获得在０～８７°内连续变化的相移量，输出幅度可控。

摘要：本文分析和研究了微波有源环行器所用的基本单元电路——放大器和定向耦合器.利用微波CAD欢件完成了放大器、定向耦合器和有源环行器的设计.模拟分析得出:在3.8～4.2GHz频率范围内,单片放大器的正向增益是6dB.反向隔离度为22dB:单片定向耦合器的正向插入损耗是4dB,反向隔离度为18dB.该有源环行器的隔离度是19dB,正向插损是5dB.实验结果为:放大器在3.5～4.0GHz频率范围内,正向增益是4.5dB,反向隔离度是23dB;定向耦合器在3.2～3.8GHz频率范围内,正向插入损耗是8dB,反向隔离度为23dB.

摘要：报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。

摘要：随着现代通讯和科学技术的发展,在许多工程应用领域中要求多倍频程的宽带放大器。单片行波放大器由于可使各种寄生参量减至最低。并将器件的参量作为传输线的一部分。从而可以获得理想的宽带放大特性。在超宽带放大方面显示出巨大的潜力与优势。作为一种电性能优良、集成度高的微波集成电路,其研究与应用的前景广阔。本文简单介绍了一个2～12GHz的超宽带GaAs单片行波放大器的设计思想和工艺实现。 为降低高频损耗及寄生参量对行波放大器高频增益的影响,有效地改善单片行波放大器的高频增益性能,研究中采用了高端频率特性较好的m-derived型行波放大电路。设计中有源S参数的获取是从MESFET的几何及材料参数出发,算出等效电路参数值、等效电路Y参数,最后转化为相应的S参数。电路则运用网络分析方法。利用计算机对其进行小信号模拟,并对行波放大器主体、输入输出匹配及偏置电路采取分步逐级优化,直至获得满意的增益带宽特性。在设计时,为使CAD结果更符合实际电路,还尽量号虑了各种因素。如微带的不连续性、工艺起伏等对电路性能的影响。整个单片电路由分布参数和集总参数元件相结合组成。