摘要：重庆渝东南地区是土家族、苗族、回族等少数民族发源地和聚居地,汇聚浓厚的民风民俗、传统建筑等。在城市化发展进程中,渝东南少数民族地区闲置大量木构民居,这些民居是乡土文化最直接的反映。在国家政策和乡村旅游业发展的推动下,闲置木构民居逐渐被人们利用起来,但传统木构民居因长时间闲置而无法居住。因此,为恢复其功能性并保留少数民族民居自身的文化特色和价值,将“微改造”理念融入到少数民族村落闲置木构民居的改造中,可以为少数民族村落闲置木构民居改造提供新的思路。

摘要：本文介绍1例骨性Ⅲ类错[牙合]伴骨性偏颌患者的正畸-正颌联合治疗过程。患者女性,因下颌偏10年就诊;临床诊断为凹面型、面部偏斜,安氏Ⅲ类、骨性Ⅲ类错[牙合]。根据美学目标设计治疗方案,术前正畸在三维方向上充分去除牙齿代偿,为手术提供充足的空间。正颌手术采取上颌骨LefortⅠ型截骨术+下颌骨矢状劈开术。术后正畸进一步进行牙列精细调整及保持。治疗结束后获得满意的功能和美学效果。

摘要：硅外延片是大规模集成电路、半导体器件等的基础功能材料,是通过外延反应在单晶硅片上生长均匀的外延薄层。外延层的厚度和电阻率的均匀性控制是硅外延生长的关键技术难题,其生长质量受反应腔室的结构与热流场设计影响较大。基于单片式硅外延生长反应腔室的结构,建立了反应腔内气体输运与外延反应的多物理场仿真模型,分析了腔室结构对热场分布均匀性的影响规律。随后通过数值仿真,研究了载气流量、进气梯度、基座转速等工艺参数对硅外延生长反应过程的影响。随后,开展了反应腔内多测点温度的测试实验,结果表明不同工艺条件下数值仿真预测的温度与实测的温度分布及变化规律相较一致,最大温度预测偏差<1.2%。基于仿真分析,获得了优化的外延生长工艺参数组合,并开展了200 mm硅外延生长反应实验,测试结果表明硅外延层的厚度不均匀性<0.76%,电阻率不均匀性<1.58%,满足集成电路硅片制造所需的外延层高品质生长要求。

摘要：针对农区裸投毒饵在灭鼠的同时杀灭一些有益生物及鸟类这一问题,设计了不同材质毒饵站取食量比较试验。试验结果表明,农区应用陶土毒饵站、PVC毒饵站灭鼠技术,可有效压低害鼠密度。