摘要：改变结构设计可提高一般三结太阳电池的转换效率和柔软性并可减轻其重量。

摘要：电路设计缩小到22nm的最可行的“路径”是什么？是否已有克服目前已预料到的在制造和设计方面所存在的问题的办法？极超紫外（EUV）（光刻）仍然面临着某些技术和经济上的不确定性。如利用193nm波长浸入式光刻系统批量生产22nm电路必须克服不止一项困难。

摘要：日本“宽带隙”研发先驱单位——富士通公司在2008年9月份于德国举办的化合物半导体国际会议上宣布，他们首次研制成功100W脉冲增强模式GaNHEMT，旨在用于微波和毫米波基站，将于2010年用于大容量无线通信。据报道，该器件最大输出功率达126W，击穿电压336V。该晶体管是用MOCVD技术生长的，中间引入了AIN层并改进了栅极设计。

摘要：由于GaN衬底缺乏，难以生产高质量GaN外延材料。解决这一问题的较好办法之一是使用ZnO衬底，这是因为：ZnO衬底与外延层之间有较好的晶格匹配而且它可设计出新的器件结构。ZnO与GaN、InGaN有相同的六角晶体结构，其结晶学空间群同为“P63mc”。GaN与ZnO之间的晶格失配为2．2％，而ZnO与InGaN（In组份18％时）之间是完全匹配的。

摘要：前言微电子学的应用并非只涉及计算机、英特尔网或移动电话，而且在汽车、家用电器、医药和光通信等方面都有重要应用，因而在不断改善人们的生活质量。它涉及的技术领域包括材料科学、加工技术、电路技术和系统设计，本文着重讨论前两项。

摘要：有证据表明：电子束（EB）光刻对创新设计理念有重要帮助并有助于小批量芯片生产厂家继续生存下去。工业界有20家公司结成联盟旨在进一步推进直接写入EB光刻和开发EB设计知识（DFEB）。D2S（公司）是联盟中主要成员之一，它提供可进行直接写入EB光刻的软件和知识产权。

摘要：德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特／s（40Gbit／s）的单VCSEL（垂直腔面发射激光器）。2009年1月份在美国加州San Jose召开的光子学会议上，该公司刚介绍了其20吉比特／s的器件，目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特／s连续传输，这是850hm（波长）光发射的刨记录器件，是用与20吉比特／sVCSEL相同的光刻掩模研制的，但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点，并嵌入到AlGaAs基体中。

摘要：德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（ISE）2008年第二次“设定”了太阳电池转换效率“基准”，非常接近于美国国家可再生能源实验室（N刚m）所保持的世界记录。ISE也采用相同的改性的Ga0.35In0.65P／Ga0.83In0.17As／Ge外延电池结构，其转换效率为39．7%（7月份为37．6％），其改进措施主要是：改变了金属接触的设计。

摘要：上海交通大学的张地与他在日本左贺大学的同事们发现：蝴蝶的翅膀有小型太阳光收集器的作用，这可启发科学家设计出更高效率的太阳电池。以自然界的蝴蝶翅膀为模板，张地等“复制”了一个太阳光收集器并将这一陷光结构转移到染料敏化太阳电池（DSC）上。DSC由间隙孔TiO2薄膜（孔隙中充满I／L3氧化还原电解液）和Pt或C的光阳极组成。