摘要：对GaN基TFT-LED有源阵列显示芯片结构进行了优化设计,并详细介绍了它的工作原理。文中采用Cadence公司的Virtuoso Spectre Circuit Simulator软件,通过设计芯片像素单元TFT晶体管的参数,研究了阵列芯片中LED的输出电流波形。仿真结果显示通过阵列芯片中LED电流达到了54.86mA,为芯片提供了足够的导通电流。研究结果表明TFT-LED有源阵列显示芯片结构的优势在于减少外围设备的同时增大导通电流。

摘要：10%NaOH溶解→2mol/L H2SO4+30%H2O2浸出→P204 11级逆流净化→P507 7级萃取→HCl反萃回收CoCl2的工艺流程,具有对设备的腐蚀轻,污染小,操作安全等特点。钴的回收率超过98%,杂质含量均小于0.001 0%。

摘要：通过脉冲激光沉积法(PLD)在(001)-SrRuO_3/SrTiO_3(SRO/STO)衬底上生长了CoFe_2O_4/Ba_(0.9)Ca_(0.1)Ti_(0.9)Zr_(0.1)O_3(CFO/BCZT)双层磁电复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试样品的晶体结构及形貌。XRD结果显示:单相BCZT铁电薄膜、CFO铁磁薄膜及CFO/BCZT磁电复合薄膜均为(00l)择优取向结构。物理性能测试结果表明:CFO/BCZT复合薄膜具有良好的铁电性能(剩余极化值,Pr=15. 1μC/cm^2)、铁磁性能和磁电耦合性能(磁电耦合系数,αE～82. 4 m V·cm^(-1)·Oe^(-1))。这种无铅的磁电复合薄膜为设计新型多铁电子器件提供了一种选择。

摘要：研究了用硫脲从贵州某湿法炼锌废渣中提取银。锌渣球磨至60目,在液固体积质量比5∶1、硫脲浓度1.0 mol/L、Fe3＋浓度0.3 mol/L、温度40℃、pH为1.0~2.0条件下浸出2 h,银浸出率达82%以上。

摘要：为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。

摘要：采用双麦克风工作模式提高语音采集效果。为解决传统CIS算法在信噪比低的情况下语音识别率差的问题,在CIS算法设计前端增加了基于LMS算法的自适应滤波器。通过Matlab仿真,语音中的噪声得到很大程度上消除。为了降低运算量、减少硬件资源和功耗,通过FFT运算在频域实现带通滤波功能。在硬件实现中,与刺激芯片联合仿真,刺激幅度与刺激时间均满足要求。

摘要：利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18μmCMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28μs减少到8μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47μs降低为15μs。

摘要：针对传统的斩波运放具有大残余失调的特点,设计了一个嵌套式斩波运放。基于SMIC0.18μm工艺,通过Spectre仿真工具进行验证与仿真,运放的开环增益达到78.3dB,共模抑制比达到112dB。在斩波频率fchophigh=10kHz、fchoplow=500Hz的条件下,通过使用非匹配斩波开关,分别对单斩波和嵌套式斩波运放进行仿真。结果表明,嵌套式斩波技术能有效减小残余失调的影响。适用于带宽较低的微弱信号检测与处理电路,如传感器前端读出电路和音频信号放大电路等。

摘要：以培养"综合型、设计型、创新型"人才为主线,讨论了开放式电子技术教学方案,以及开放式实验的项目设置、项目开发、项目管理、学分管理等,目标是激励学生的学习积极性、教师项目开发及实验指导的积极性,总结了开放式实验教学急需解决的几个问题。

摘要：在功能材料研究领域,人工复合的多铁磁电材料因具有室温环境下特殊的磁电性能——铁电有序和铁磁有序共存及"磁-力-电"转换特性(磁电耦合效应),在磁传感器、换能器、微波器件、存储器等方面有着十分诱人的实用价值与应用前景。本文在回顾多铁磁电复合材料背景知识的基础上,重点介绍磁电复合材料磁电耦合机理、设计原理、制备方法与研究现状、理论分析方法与磁电效应表征方法相关内容,最后总结、展望多铁磁电复合材料未来研究中的一些重要问题。